Bài giảng Các mạch khuếch đại lớp C, D, E, F, G, H, T

Mạch Điện Tử 2 Các mạch khuếch đại lớp C, D, E, F, G, H, T Nội dung Giới thiệu Khuếch đại công suất lớp A kiểu chung cực E (common-emitter) Mạch khuếch đại ghép biến áp (transformer-coupled) Khuếch đại công suất đẩy kéo (push-pull) lớp B Các mạch khuếch đại lớp C, D, E, F, G, H, T Đặc tính của các loại PA (Power Amplifier): transistor có hoạt động trong vùng tích cực(1) Lớp A: Thời gian dẫn của transistor = chu kỳ tín hiệu. Độ tuyến tính tốt nhất. Hiệu suất ≤50%. Lớp B: Thời gian dẫn của transistor = ½ chu kỳ tín hiệu. Hiệu suất ≤78.5% Tránhméo xuyên tâm bằng cách cho transistor hoạt động ở lớp AB. Lớp C: Thời gian dẫn của transistor Loại bỏ tụ xuất âm, tương tự mạch BTL Bán kỳ dương Bán kỳ âm Lớp D: Các phương pháp nâng cao chất lượng – Không có mạch lọc Sơ đồ mạch Dạng sóng Lớp D: Các phương pháp nâng cao chất lượng – Giảm EMI Nhược điểm của mạch kđ lớp D ko có mạch lọc ngỏ ra là bức xạ EMI (Electromagnetic Interference) từ cáp của loa Một cách để giảm EMI là điều chế trãi phổ (spresd-spectrum modulation) Tần số khóa (switching freq.) được điều khiển một cách ngẫu nhiên Phổ băng rộng ở ngõ ra của MAX9700 với tần số khóa cố định Phổ băng rộng ở ngõ ra của MAX9700 với tần số khóa ngẫu nhiên Lớp E PA lý tưởng cho kiểu điều chế biên độ hằng Hiệu suất cao Không nhạy với đặc tính linh kiện Mạch đơn giản Không cần tuyến tính Lớp E PA Theo lý thuyết, hiệu suất có thể đạt 100% Transistor hoạt động trong vùng bão hòa hoặc tắt Cấu hình đơn giản nhất: 1 Transistor + 1 RLC Ko tuyến tính: tín hiệu vào chỉ điều khiển tần số ra Lớp E: Hoạt động Lớp E: Các yếu tố thực tế cần xem xét Lớp F Tương tự như lớp E, transistor hoạt động ở chế độ tắt dẫn bảo hòa. Có hiệu suất cao. Sử dụng các bộ cộng hưởng hài (harmonic resonator) để đạt hiệu suất cao. Không sử dụng ở âm tần Lớp G Dựa trên nguyên tắc bơm điện tích (charge-pump) Cho công suất lớn ở áp nguồn thấp Sử dụng đa nguồn cung cấp thay vì nguồn áp cố định như trong mạch kđ lớp AB