Bài toán transistor ghép liên tầng đã được khảo sát ở ĐT1 đối với dải tần số giữa.
Ở dải tần số thấp và cao, có ảnh hưởng của các tụ điện (ngoài và trong):
Việc tính toán được thực hiện từ tầng sau cùng ra tầng trước, để có thể tính trở kháng Miller.
Mạch được chia thành 2 loại: băng rộng (wide band) và băng hẹp (narrow band).
Mạch băng rộng: tính toán riêng rẽ vùng tần số thấp và vùng tần số cao.
Trong pâần này chỉ xét vùng tần số cao.
19 trang |
Chia sẻ: haohao89 | Lượt xem: 3530 | Lượt tải: 0
Bạn đang xem nội dung tài liệu Bài giảng Đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại ghép RC, để tải tài liệu về máy bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
Mạch Điện Tử 2 Đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại ghép RC (FET ở tần số cao, ghép liên tầng) Đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại ghép RC: nội dung BJT ở tần số cao FET ở tần số cao Mạch khuếch đại RC ghép liên tầng Tích số độ lợi-băng thông (GBW) Khóa transistor FET ở tần số cao: Mạch tương đương hybrid-pi Mạch tương đương ac Mạch tương đương hybrid-pi Điện dung Cgd và Cgs là kết quả của việc phân cực ngược mối nối cực G Đọc thêm: mô hình của FET trong SPICE Cgs = 50pF (FET tsố thấp) – 5pF (FET tsố cao) Cgd < 5 pF (FET tsố thấp), <0.5pF (FET tsố cao) Đáp ứng mạch khuếch đại CS: điện dung Miller Mạch CS với hồi tiếp được loại bỏ Điện dung Miller (cách phân tích giống như mạch BJT Mạch tương đương với CM ở trên chỉ tồn tại khi điều kiện sau thỏa mãn: Xem lại cách phân tích ở mạch BJT Mạch khuếch đại CS: Độ lợi điện áp và tần số cắt cao 3dB Bộ khuếch đại FET với điện trở nguồn = 0 Đáp ứng của mạch SF (source follower) và trở kháng vào Mạch SF: trở kháng vào (1) Mạch nguyên vẹn Mạch khi Mạch khi Mạch SF: trở kháng vào (2) Mạch tương đương SF ở tần số cao Mạch SF: trở kháng ra Mạch tương đương SF ở tần số cao Mạch SF: độ lợi áp Đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại ghép RC: nội dung BJT ở tần số cao FET ở tần số cao Mạch khuếch đại RC ghép liên tầng Tích số độ lợi-băng thông (GBW) Khóa transistor Mạch khuếch đại RC liên tầng: giới thiệu Bài toán transistor ghép liên tầng đã được khảo sát ở ĐT1 đối với dải tần số giữa. Ở dải tần số thấp và cao, có ảnh hưởng của các tụ điện (ngoài và trong): Việc tính toán được thực hiện từ tầng sau cùng ra tầng trước, để có thể tính trở kháng Miller. Mạch được chia thành 2 loại: băng rộng (wide band) và băng hẹp (narrow band). Mạch băng rộng: tính toán riêng rẽ vùng tần số thấp và vùng tần số cao. Trong pâần này chỉ xét vùng tần số cao. Mạch khuếch đại RC liên tầng (1) (a) Mạch được phân cực với 2 BJT giống nhau, (b) mạch tương đương tín hiệu bé, tần số cao. Mạch khuếch đại RC liên tầng (2) Điện trở rbb’ được giả sử bỏ qua, điện dung Miller ở tầng 2 được tính toán Mạch khuếch đại RC liên tầng (3): Trở kháng Miller của tầng đầu tiên Trở kháng Miler Mạch tương đương hoàn chỉnh của mạch khuếch đại CE 2 tầng Mạch khuếch đại RC liên tầng (3):Độ lợi dòng Ghép liên tầng FET Mạch khuếch đại FET liên tầng (bỏ qua phân cực) Mạch tương đương tín hiệu bé tần số cao (tương tự mạch BJT ghép liên tầng với rbb’=0 Tần số cắt cao 3dB