Bài giảng Phát xạ điện tử thứ cấp

PHÁT XẠ ĐIỆN TỬ THỨ CẤP Thực Hiện: Nguyễn Văn Thọ Phát xạ điện tử thứ cấp là gì? Nguồn: Scanning electron microscopy (SEM) D.S. Su CƠ SỞ LÝ THUYẾT • Hệ số phát xạ thứ cấp • Is Tổng dòng phát xạ electron thứ cấp • Ip Tổng dòng phát xạ electron sơ cấp Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission Prashanth Kumar B.E, University of Madras, 2003 Tóm tắt lý thuyết lye và dekker • n(x;E0)dx là số hạt thứ cấp được tạo ra dưới năng lượng ban đầu E0 của hạt tới với độ dày dx và ở độ sâu x so với bề mặt. Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission Prashanth Kumar B.E, University of Madras, 2003 Tóm tắt lý thuyết lye và dekker • f(x) Là hàm phân bố của hạt thứ cấp dọc theo trục x và thoát ra bề mặt. Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission Prashanth Kumar B.E, University of Madras, 2003 Tóm tắt lý thuyết lye và dekker Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission Prashanth Kumar B.E, University of Madras, 2003 Độ mất mát năng lượng của hạt sơ cấp được tính bằng định luật Whiddington's: dE/dx = -Ep/R trong đó A là hằng số đặt trưng cho vật liệu, R độ xuyên sâu. R được xác định thông qua n nằm trong khoảng 1,3 – 1,6 Tóm tắt lý thuyết lye và dekker Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission Prashanth Kumar B.E, University of Madras, 2003 Với K là hệ số, r được xác định thông qua: Sử dụng điều kiện Ta có Tóm tắt lý thuyết Dionne Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission Prashanth Kumar B.E, University of Madras, 2003 Tổng số hạt electron thứ cấp bằng (-dE/dx)/ Trong đó dE/dx là năng lượng bị mất mát, còn là năng lượng mà một electron thoát ra Độ mất mát năng lượng của hạt sơ cấp được tính bằng định luật Whiddington's: dE/dx = -Ep/R trong đó A là hằng số đặt trưng cho vật liệu, R độ xuyên sâu. R được xác định thông qua n nằm trong khoảng 1,3 – 1,6 Tóm tắt lý thuyết Dionne Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission Prashanth Kumar B.E, University of Madras, 2003 Hệ số phát xạ thứ cấp được xác định bằng công thức: Trong đó B xắc suất để hạt thoát ra khỏi bề mặt Năng lượng excitation của điện tử thứ cấp Hệ số hấp thụ của điện tử thứ cấp A Hệ số hấp thụ của điện tử sơ cấp d Độ xuyên sâu cực đại