Chương 3. Transistor tiếp giáp lưỡng cực BJT

1 Mục lục 3.1. Cấu tạo và nguyên lý làm việc của BJT ........................................................................................2 3.1.1. Cấu tạo của BJT ....................................................................................................................2 3.1.2. Nguyên lý làm việc của BJT .................................................................................................3 3.1.3. Quan hệ dòng điện IE, IB, IC và các hệ số truyền đạt dòng điện α, β .....................................5 3.2. Các dạng mắc mạch cơ bản của BJT.............................................................................................7 3.3. Giới hạn vùng làm việc của BJT .................................................................................................13 3.4. Ph−ơng trình đ−ờng tải và điểm làm việc tĩnh (chế độ 1 chiều) .................................................15 3.5. Phân cực cho BJT........................................................................................................................16 3.5.1. Phân cực Bazơ (hay phân cực bằng dòng cố định)..............................................................16 3.5.2. Phân cực Emitơ ...................................................................................................................18 3.5.3. Phân cực bằng phân áp........................................................................................................20 3.5.4. Phân cực bằng hồi tiếp Colectơ...........................................................................................22 3.6. Hệ số ổn định S...........................................................................................................................23 3.6.1. Định nghĩa hệ số ổn định ....................................................................................................23 3.6.2. Hệ số ổn định cho các loại mạch phân cực .........................................................................24 3.7. Ph−ơng pháp lựa chọn điểm công tác tĩnh Q dựa trên các tham số và đặc tính của BJT ............26 3.8. BJT chuyển mạch........................................................................................................................29 3.8.1. Chế độ chuyển mạch của BJT .............................................................................................29 3.8.2. Chế độ cắt dòng và bSo hoà của BJT..................................................................................30 3.9. BJT làm việc ở chế độ khuếch đại tín hiệu nhỏ. .........................................................................31 3.9.1. Khái niệm............................................................................................................................31 3.9.2. Biến đổi sơ đồ mạch nguyên lý sang sơ đồ t−ơng đ−ơng ....................................................31 3.9.3. Một số tham số cơ bản trong mạch khuếch đại...................................................................32 3.9.4. Đ−ờng tải và điểm làm việc động .......................................................................................33 3.9.5. Sơ đồ t−ơng đ−ơng tham số vật lý - re .................................................................................33 3.9.6. Sơ đồ t−ơng đ−ơng tham số h (hybrid)................................................................................36 2 Ch−ơng 3. Transistor tiếp giáp l−ỡng cực BJT (Bipolar Junction Transistor) 3.1. Cấu tạo và nguyên lý làm việc của BJT 3.1.1. Cấu tạo của BJT Ng−ời ta lấy hai loại bán dẫn ghép theo thứ tự P-N-P hoặc N-P-N thì đ−ợc một cấu trúc của loại Tranzito tiếp giáp l−ỡng cực và đ−ợc viết tắt là BJT (Bipolar Junction Transistor). Khái niệm l−ỡng cực (Bipolar) ở đây đ−ợc hiểu là Tranzito dùng hai loại hạt dẫn đa số: đó là điện tử (nn mang điện tích âm) và lỗ trống (pp mang điện tích d−ơng). Tuỳ theo cách ghép hai chất bán dẫn mà ng−ời ta có loại Tranzito PNP và Tranzito NPN. Tranzito BJT có 3 cực đ−ợc gọi tên và ký hiệu nh− sau: Emitơ - Ký hiệu là E (tiếng Anh viết là Emitter) Bazơ - Ký hiệu là B (tiếng Anh viết là Base) Colectơ - Ký hiệu là C (tiếng Anh viết là Collector) Hình 3-1 : Cấu tạo và ký hiệu của BJT loại PNP và NPN Trên hình 3-1 mô tả cấu tạo và ký hiệu của hai loại BJT, trên ký hiệu có mũi tên tại Emitơ ngầm chỉ chiều dòng điện Emitơ. Việc chọn kích th−ớc các vùng Emitơ, Bazơ và Colectơ cũng nh− nồng độ hạt dẫn đa số tại các vùng này phải tuân thủ một qui tắc nhất định. Trên hình 3-1 cho thấy vùng Bazơ có kích th−ớc rất mỏng (nhỏ hơn 100 lần) so với hai vùng Emitơ và Colectơ. Về nồng độ hạt dẫn đa số tại vùng Emitơ là lớn nhất, sau đó đến vùng Colectơ còn vùng E P P N C B EE EC 0,025 mm E B C 3.8 mm E B C E N N P C B EE EC 0,025 mm 3,8 mm + + 3 Bazơ thì cần rất nhỏ, nhỏ hơn nhiều lần (tối thiểu là 10 lần hoặc bé hơn) so với nồng độ hai vùng trên. Với phân bố hạt dẫn đS nêu ở trên, ng−ời ta muốn đạt đ−ợc một kết quả là dòng Bazơ càng nhỏ càng tốt (ý nghĩa của kết quả này sẽ đ−ợc giải thích ở phần hệ số α, β). 3.1.2. Nguyên lý làm việc của BJT BJT là loại cấu kiện bán dẫn có hai tiếp giáp PN. Mỗi tiếp giáp PN về nguyên tắc giống nh− một Điot. Phụ thuộc vào cách phân cực thuận hay ng−ợc của hai tiếp giáp này mà ta có các chế độ làm việc khác nhau của BJT. Mô hình đơn giản của BJT đ−ợc mô tả trên hình 3-2, hai tiếp giáp đ−ợc ký hiệu JE (tiếp giáp Emitơ - Bazơ) và JC (tiếp giáp Colectơ - Bazơ). Có 3 tr−ờng hợp nh− sau: JE - phân cực thuận JC - phân cực ng−ợc BJT làm việc ở vùng tích cực (active region) (dùng trong chế độ khuếch đại tín hiệu) JE - phân cực ng−ợc JC - phân cực thuận BJT làm việc ở vùng tích cực đảo (reverse-active region) (dùng trong chế độ khuếch đại đảo tín hiệu) JE - phân cực ng−ợc JC - phân cực ng−ợc BJT làm việc ở vùng cắt dòng (cutoff region) (dùng trong chế độ chuyển mạch - switch) JE - phân cực thuận JC - phân cực thuận BJT làm việc ở chế độ bSo hoà (saturation region) (dùng trong chế độ chuyển mạch - switch) a) Loại Tranzito PNP b) Loại Tranzito NPN Hình 3-2: Sơ đồ t−ơng đ−ơng đơn giản của BJT Để phân tích cơ chế làm việc và các dòng điện chạy trong BJT có thể lấy nền tảng đS nghiên cứu đối với Điot bán dẫn. Trên hình 3-3 mô tả quá trình này (lấy ví dụ cho BJT loại PNP) Xét BJT làm việc ỏ vùng tích cực: tiếp giáp Emitơ phân cực thuận, tiếp giáp Colectơ phân cực ng−ợc. Hai tiếp giáp PN hình thành hai vùng điện tích không gian. Gọi tắt tiếp giáp Emitơ - Bazơ là tiếp giáp Emitơ; Tiếp giáp Colectơ - Bazơ là tiếp giáp Colectơ. Nguồn EE mắc phân cực thuận cho tiếp giáp Emitơ, còn nguồn EC mắc phân cực ng−ợc cho tiếp giáp Coletơ. Gần nh− toàn bộ điện áp nguồn EC hạ trên tiếp giáp colectơ: E JE JC C B E JE C B JC (3-1) UCE ≈ EC 4 pp (Emitơ) > pp (Colectơ) >> nn (Bazơ) UEB: Điện áp hạ trên tiếp giáp Emitơ do nguồn EE cung cấp và UEB / UBE ≅ 0,7v (Si) và ≅ 0,3v (Ge) UCE: Điện áp hạ trên tiếp giáp Colectơ - Emiter do nguồn EC cung cấp và UCE ≈ EC Hình 3-3: Sự hình thành các dòng điện trong BJT. Do tiếp giáp Emitơ phân cực thuận, điện áp tổng trên tiếp giáp giảm đi và bằng: Làm cho dòng khuếch tán các hạt dẫn đa số tăng mạnh (lỗ trống pp từ Emitơ khuếch tán sang Bazơ và điện tử nn từ Bazơ sang Emitơ) tạo thành dòng IE. Tuy nhiên do nồng độ pp (Emitơ) >> nn (Bazơ) nên trong thành phần của IE chủ yếu là do lỗ trống từ Emitơ tạo thành. Tại vùng Bazơ sát tiếp giáp Emitơ nồng độ lỗ trống giờ đây lớn hơn nhiều so với phía sát tiếp giáp Colectơ nên dòng hạt dẫn này tiếp tục khuếch tán về phía tiếp giáp colectơ. Trong quá trình khuếch tán này một số lỗ trống tái hợp với điện tử tại vùng Bazơ và tạo thành dòng Bazơ IB. Tuy nhiên nh− đS nói ở phần trên, do nồng độ hạt dẫn đa số tại Bazơ nhỏ, mặt khác bề dầy của Bazơ là rất nhỏ nên dòng IB << IE. Tiếp giáp colectơ phân cực ng−ợc nên tổng điện áp trên tiếp giáp là: Điện áp tổng này có chiều gia tốc đối với lỗ trống nên nó kéo nhanh số lỗ trống này về Colectơ và tạo thành dòng Coletơ IC. Tuy nhiên tại vùng Bazơ và Colectơ có các hạt dẫn thiểu số pn và np. Các hạt dẫn này d−ới tác dụng của U∑(Colectơ) hình thành một dòng điện - ký hiệu là dòng IC0. Dòng này đ−ợc gọi là dòng d− Colectơ (hay còn gọi là dòng dò). Bản chất dòng điện này giống nh− dòng điện ng−ợc IS trong Điot. Nh− vậy dòng điện Colectơ gồm hai thành phần: Thành phần chính do hạt dẫn đa số từ Emitơ khuếch tán sang tạo thành IC và U∑(E) = UtxE - UEB (3-2) (3-3) U∑(Colectơ) = UtxC + UCB E P UtXE UtXC N(nn) P C IC IC IC0 IB IE IE B UCB UEB IB EC EE Pn np + + np 5 thành phần do hạt dẫn thiểu số ở vùng Bazơ và Colectơ tạo thành IC0 (bản chất là dòng Trôi - xem trong phần Điot). Trên thực tế dòng IC0 rất nhỏ ; IC0 << IC vì vậy dòng IC∑ ≅ IC ; tuy nhiên dòng IC0 phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ, nên trong một số tr−ờng hợp sẽ làm ảnh h−ởng lớn đến độ ổn định của mạch khi làm việc trong dải biến thiên lớn của nhiệt độ. 3.1.3. Quan hệ dòng điện IE, IB, IC và các hệ số truyền đạt dòng điện α, β Theo phân tích ở phần trên, áp dụng định luật Kirchhoff’s về dòng điện trong Tranzito BJT ở hình 3-3 ta nhận đ−ợc mối quan hệ sau: Trong đó, thông th−ờng IB << IC và IE (do miền Base rất mỏng) + Hệ số truyền đạt dòng điện Emitơ α: Là tỷ số giữa dòng Colectơ và dòng Emitơ. Tuỳ thuộc vào chế độ làm việc một chiều (DC) hay xoay chiều (AC) mà có khái niệm: αdc - Hệ số truyền đạt dòng điện Emitơ một chiều αac - Hệ số truyền đạt dòng điện Emitơ xoay chiều Các hệ số trên đ−ợc xác định theo công thức sau: Trong đó IC, IE là giá trị dòng một chiều Trong đó ∆IC và ∆IE là giá trị biến thiên nhỏ của dòng Colectơ và Emitơ. Do IB << IC và IE nên có thể coi IC ≅ IE. Trên thực tế αdc th−ờng không khác nhiều αac tức là αdc ≅ αac và có giá trị gần bằng 1. (th−ờng α có giá trị khoảng từ 0,9 ữ 0,998). +Hệ số truyền đạt dòng điện Colectơ β: Còn gọi là hệ số khuyếch đại dòng điện. Phân biệt chế độ một chiều hay xoay chiều cũng có khái niệm: βdc - Hệ số khuếch đại dòng điện một chiều βac - Hệ số khuếch đại dòng điện xoay chiều βdc và βac đ−ợc xác định theo công thức sau: Trong đó IC, IB là giá trị dòng điện một chiều (3-4) IC∑ = IC + IC0 (3-5) IE = IC + IB E C dc I I =α (3-6) 1-EiEi 1-CiCi E C E C ac II II I I dI dI = − − =≅ ∆ ∆ α (3-7) I I = B C cdβ (3-8) 6 Trong đó ∆IC và ∆IB là giá trị biến thiên nhỏ của dòng Colectơ và Bazơ. Thực tế hai giá trị βdc và βac cũng không khác nhau nhiều βdc ≅ βac nên thậm chí có thể dùng chung một khái niệm β (trừ vùng tần số cao) L−u ý: Trong sổ tay kỹ thuật th−ờng cho tham số hFE - là hệ số khuếch đại mắc theo sơ đồ Emitơ chung. Chỉ số FE - nếu viết bằng chữ in t−ơng ứng với chế độ một chiều, còn viết fe - chữ th−ờng t−ơng ứng với chế độ xoay chiều: βdc = hFE ; βac = hfe Hệ số α ít phụ thuộc vào dòng IC và tần số tín hiệu, còn hệ số β phụ thuộc khá nhiều vào IC và tần số (hình 3-4). a) β phụ thuộc vào dòng IC b) β phụ thuộc vào tần số tín hiệu Hình 3-4: Sự phụ thuộc của β vào dòng IC và tần số tín hiệu Đồ thị hình 3-4a có thể giải thích ngắn gọn nh− sau: Khi tăng IC quá một giá trị nào đó thì β bắt đầu giảm là do khi IC tăng nhiều làm hạt dẫn thiểu số tại Bazơ tăng (hạt dẫn từ Emitơ khuếch tán sang) làm tăng dòng tái hợp với hạt dẫn đa số của Bazơ làm tăng dòng IB và gây ra giảm β. Với đồ thị hình 3-4b khi tần số tăng β giảm do hai nguyên nhân chính. Thứ nhất là do ảnh h−ởng của điện dung tiếp giáp Emitơ và Colectơ. Ngoài ra còn do thời gian bay của hạt dẫn qua Bazơ có hạn nên khi tần số lớn, chúng không kịp đến tới tiếp xúc Colectơ thì tín hiệu đS đổi chiều làm giảm dòng IC cũng nh− gây sự dịch pha giữa dòng điện và điện áp. Quan hệ giữa α, β đ−ợc xác định nh− sau: IE = IB + IC Chia cả hai vế cho IC có: Theo định nghĩa α và β sẽ đ−ợc: 1+ I I = I I C B C E β f 1-BiBi 1-CiCi B CC ca II II I I dI dI = − − =≅ ∆ ∆ β B (3-9) β1 β α + = (3-10) T = 1000C T = IC 7 Kết quả: Hay tính β theo α có: Nh− vậy biết α có thể tính đ−ợc β hoặc ng−ợc lại. Những quan hệ cần ghi nhớ: 3.2. Các dạng mắc mạch cơ bản của BJT Có 3 dạng mắc cơ bản: Bazơ chung - Ký hiệu CB (Common Base) Emitơ chung - Ký hiệu CE (Common Emitter) Colectơ chung - Ký hiệu CC (Common Colector) Khái niệm điểm chung có thể hiểu là điểm chung cho mạch vào và ra. Trong phần này khảo sát các đặc tuyến tĩnh (chế độ một chiều) của từng dạng mắc mạch. 3.2.1. Mạch Bazơ chung - BC Mạch BC đ−ợc mô tả trên hình 3-5 cho hai loại BJT - PNP và NPN. a) BJT loại PNP b) BJT loại NPN Hình 3-5: Mạch Bazơ chung đối với tranzito loại PNP và NPN. Với mạch Bazơ chung có quan hệ sau: Mạch vào: IE - dòng vào, UBE - điện áp vào → khảo sát đặc tuyến tĩnh constCBUBEE UfI == )( 1+ β 1 = α 1 α-1 α β = (3-11) ( ) α α β β β α αα β β -1 = +1 = I I + I=I I1+=I I = I I + I =I EC0EC BE BC BCE ≅ (3-12) IE UBE UCB I EE EC B C E IE UBE UCB IB EE EC B C E IC IC 8 Mạch ra: IC - dòng ra UCB - Điện áp ra → khảo sát đặc tuyến tĩnh constEICBC UfI == )( Họ đặc tuyến vào tĩnh đ−ợc mô tả trên hình 3-6 với giá trị khác nhau của UCB. Đặc tuyến giống nh− nhánh phải của đặc tuyến Vôn - Ampe của Điot. Khi UCB tăng, đặc tuyến hơi dịch về phía trái (dòng IE tăng chút ít) là do UCB phân cực ng−ợc. Khi UCB tăng làm tăng bề dầy của lớp tiếp xúc Colectơ và mở rộng chủ yếu về phía Bazơ (là vùng có nồng độ hạt dẫn thấp) làm cho khoảng cách hiệu dụng giữa chuyển tiếp Emitơ và Colectơ ngắn lại và do đó làm tăng dòng IE. Đặc tuyến vào có thể lý t−ởng hoá nh− hình 3-6b. Khi đó điện áp UBE đ−ợc lấy giá trị cố định là: 0,7V (Si) ; 0,3V (Ge) a) Họ đặc tuyến vào b) Đặc tuyến vào tuyến tính hoá lý t−ởng Hình 3-6: Họ đặc tuyến vào constCBUBEE UfI == )( Họ đặc tuyến ra tĩnh: constEICBC UfI == )( đ−ợc mô tả trên hình 3-7 Hình 3-7: Họ đặc tuyến ra tĩnh của mạch Bazơ chung constECBC IUfI == )( IE (mA) UCB = 20V UCB = 10V UCB = 1V UBE (V) 8 IE (mA) UBE (V) 1 0,7 V BJT loại Si 0,0,0,0, 6 4 2 1 0,0,0,0, 8 6 4 2 Vùng tích cực IE = 5mA IE = 4mA IE = 3mA IE = 2mA IE = 1mA IE = 0mA Vùng đánh thủng UCE thủng UCB (V) ICB0 5 IC (mA) 0 10 15 20 Vùng cắt dòng Vùng bSo hoà 9 Vùng bJo hoà: (Saturation Region) khi UCB ≤ 0. Vùng này dòng IC giảm rất nhanh và tiến tới 0 khi UCB < 0. Trong vùng này tiếp xúc Colectơ phân cực thuận nên cản lại dòng hạt dẫn khuếch tán từ Bazơ sang làm cho dòng IC giảm tới 0 khi UCB ≥ UtxC (UtxC là điện áp tiếp xúc tại tiếp xúc Colectơ). Nh− vậy ở vùng bSo hoà cả hai tiếp xúc Emitơ và Colectơ đều phân cực thuận. Vùng cắt dòng: (Cutoff - Region) với giá trị IE ≤ 0. Vùng này tiếp xúc Emitơ phân cực ng−ợc, dòng IE = 0. Tại vùng cắt dòng cả hai tiếp xúc phân cực ng−ợc. Vùng tích cực: (Active - Region) đây là vùng khuếch đại tín hiệu. Tại vùng này dòng IC tăng rất ít khi UCB tăng vì khi các hạt dẫn khuếch tán qua đ−ợc Bazơ đều đến đ−ợc tiếp xúc Colectơ và tạo thành dòng IC. L−ợng tăng nhỏ của IC là do khi UCB tăng, tiếp xúc Colectơ mở rộng ra (chủ yếu về phía Bazơ) làm giảm khả năng tái hợp hạt dẫn tại Bazơ tức làm giảm IB và IC tăng chút ít do IE giữ không đổi. L−u ý: Tại đặc tuyến với IE = 0, dòng IC còn một giá trị là dòng d− IC0 do hạt dẫn thiểu số tạo thành. Dòng này rất nhỏ. Trong mạch BC, dòng này có ký hiệu là ICB0. Theo (3-12) có: Nếu IE = 0 (hở mạch Emitơ) thì dòng ICB0 chính là dòng Colectơ khi hở mạch vào Emitơ (hình 3-8). Hình 3-8: Dòng ICB0 trong mạch Bazơ chung Vùng đánh thủng: (Breakdown - Region) nếu UCB quá lớn sẽ gây nên hiện t−ợng đánh thủng tiếp giáp Colectơ làm dòng IC tăng đột ngột (đánh thủng Zener hay đánh thủng thác lũ hoặc cả hai). Chú ý: Đối với mạch mắc kiểu Base chung th−ờng có hệ số khuếch đại điện áp từ 50 đến 300, hệ số khuếck đại dòng điện < 1 (do IC /IE = α, α th−ờng < 1 ). 3.2.2. Mạch Emitơ chung - CE (Common Emitter) Mạch có Emitơ là điểm chung cho mạch vào và ra. a) BJT loại PNP b) BJT loại NPN Hình 3-9: Mạch Emitơ chung đối với tranzito loại PNP và NPN CB00 EC I II == (3-14) (3-13) IC = αIE + ICB0 ICB0 EC IE = 0 B C E EC EB IB IC UBE UCE B C E EC EB IB IC IE IE 10 Họ đặc tuyến tĩnh là vào và ra: Họ đặc tuyến ra : IC = f (UCE) IB = const IC dòng ra, UCE là điện áp ra, IB dòng vào. Họ đặc tuyến vào: IB = f (UBE) UCE = const b) Họ đặc tuyến vào IB = f (UBE) UCE = const c) Đặc tuyến vào lý t−ởng Hình 3-10: Họ đặc tuyến ra (a) và vào (b ,c ) của mạch Emitơ chung - EC (BJT loại NPN - Si). Họ đặc tuyến ra: IC = f (UCE) IB = const cho thấy ở đây cũng gồm 4 vùng: Vùng tích cực: (hay còn gọi là vùng khuếch đại) khi tiếp xúc Emitơ phân cực thuận và tiếp xúc Colector phân cực ng−ợc. Cơ chế t−ơng tự nh− trong mạch Bazơ chung - BC, nh−ng ở đây dòng IC có tăng mạnh hơn khi UCE tăng (độ dốc đặc tuyến lớn hơn). Sự tăng này cũng do độ rộng hiệu dụng của miền Bazơ hẹp lại do tiếp xúc Colectơ mở rộng ra khi UCE tăng làm số hạt dẫn đến đ−ợc Colectơ nhiều hơn. Một đặc điểm cần l−u ý nữa là khoảng cách giữa các đặc tuyến không đều nhau khi dòng IB thay đổi một l−ợng nh− nhau (ví dụ: Khoảng cách giữa 2 đặc tuyến với IB = 10àA và IB = 20àA lớn hơn IC (mA) Vùng tích cực( khuếch đại) Vùng bSo hoà 1 2 3 4 5 6 7 8 0 5 10 15 20 UCE (V) UCE bh ICE0 ≈ βICB0 Vùng cắt dòng Vùng đánh thủng tiếp giáp Colectơ UCE thủng 90àA 80àA 70àA 60àA 50àA 40àA 30àA 20àA 10àA IB = 0àA 100 1 UBE(V) UCE = 1V UCE = 10V UCE = 20V IB(mA) 0, UBE(V) IB(MA) 80 60 40 20 0,0,0,0,0 100 80 60 40 20 0,0,0,0 11 khoảng cách giữa 2 đặc tuyến ứng với IB =70àA và IB = 80àA). (L−u ý là đối với mạch Bazơ chung cách giữa các đặc tuyến ra là đều hơn). Vùng bJo hoà: Khi cả hai tiếp xúc Emitơ và Colectơ phân cực thuận. Khi này dòng IC tăng rất nhanh. Điện áp bSo hoà UCE bh ≈ 0,3V. Vùng cắt dòng: Nằm d−ới đặc tuyến ứng với IB = 0 ứng với cả hai tiếp xúc Emitơ và Colectơ phân cực ng−ợc. Với IB = 0, có dòng d− - gọi là ICE0. Dòng này đ−ợc xác định nh− trên hình 3-11 với cực Bazơ hở (IB = 0). Hình 3-11: Xác định dòng ICE0 (ứng với cực B hở IB = 0) Xác định dòng ICE0 nh− sau: IC = αIE + ICB0 Hay: IC = α(IC + IB) + ICB0 Rút ra: Với mạch CE, khi IB = 0 thì thành phần thứ hai của biểu thức (3-15) chính là ICE0: Vậy: Công thức (3-16) cho thấy dòng d− ICE0 trong mạch CE >> dòng d− ICB0 trong mạch BC. Dòng d− lại phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ, nên mạch CE sẽ bị ảnh h−ởng của nhiệt độ nhiều hơn là mạch CB. Vùng đánh thủng: Khi UCE quá lớn đến một giá trị nào đó làm đánh thủng tiếp xúc Colectơ. Khi đó dòng IC tăng vọt. Họ đặc tuyến vào: IB = f (UBE) UCE = const: Đặc tuyến này cũng giống nh− đặc tuyến Vôn - Ampe của Điot bán dẫn. Tăng UCE dòng IB giảm đi đôi chút ít do độ rộng hiệu dụng của vùng Bazơ hẹp lại làm sự tái hợp giảm đi tức là dòng IB giảm (hình 3-10b). Tuy nhiên sự thay đổi dòng IB do tác động của UCE là nhỏ và đặc tuyến vào IB = f(UBE) có thể thay thế bằng đặc tuyến vào tuyến tĩnh lý t−ởng (hình 3-10c). Khi đó UBE ≅ 0,7V. ( ) 0=IBCB0CB0CB0CE0 I I 1+= -1 I =I ββ α ≅ α-1 I + α-1 αI =I CB0BC (3-15) I I 0 = IBCB0CE0 β≅ (3-16) C ICE0 EC B E IB = 0 12 3.2.3. Mạch Colectơ chung - CC (Common Colector) Mạch Colectơ chung - CC là mạch có Colectơ là điểm chung cho mạch vào và ra mạch đ−ợc mắc nh− hình 3-12 đối với 2 loại Tranzito PNP và NPN. a) BJT loại PNP b) BJT loại NPN Hình 3-12: Mạch Colectơ chung - CC đối với tranzito loại PNP và NPN.