Kĩ thuật điện - Phần 2: Hệ thống điện tử tương tự và số
CÁC DỤNG CỤ BÁN DẪN KHUẾCH ĐẠI TRANSITOR KHỐI TƯƠNG TỰ VÀ KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN ĐIỆN TỬ SỐ
Bạn đang xem trước 20 trang tài liệu Kĩ thuật điện - Phần 2: Hệ thống điện tử tương tự và số, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
Phần 2
HỆ THỐNG ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ
VÀ SỐ
KỸ THUẬT ĐIỆN
1
HỆ THỐNG ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ VÀ SỐ
n CÁC DỤNG CỤ BÁN DẪN
n KHUẾCH ĐẠI TRANSITOR
n KHỐI TƯƠNG TỰ VÀ KHUẾCH ĐẠI THUẬT
TOÁN
n ĐIỆN TỬ SỐ
2
CHƯƠNG 7: CÁC DỤNG CỤ BÁN DẪN
1. KHÁI NIỆM CHUNG VỀ CHẤT BÁN DẪN, DIODE
Chất bán dẫn
- tồn tại dưới dạng tinh thể rắn.
- độ dẫn điện nằm giữa độ dẫn điện chất dẫn điện
và caćh điện; dải độ dẫn điện nằm trong khoảng
10-6 ®10-5 S/m.
- Chất bán dẫn quan trọng nhất là Silic, có hóa trị 4
Lô ̃ trống
- khi một điện tử tham gia liên kết hóa trị bị khuyết
(bứt ra khỏi liên kết), chỗ khuyết đó được gọi là lỗ
trống; lỗ trống mang điện tích dương
3
1. KHÁI NIỆM CHUNG VỀ CHẤT BÁN DẪN,
DIODE
4
1. KHÁI NIỆM CHUNG VỀ CHẤT BÁN DẪN,
DIODE
QUÁ TRÌNH DẪN ĐIỆN TRONG CHẤT BÁN DẪN
n Cả lô ̃ trống va ̀ điện tử đều tham gia vào quá trình
dẫn điện của chất bán dẫn (lỗ trống và điện tử tự do
còn được gọi chung là các hạt dẫn- carriers)
n Chiều dòng điện trong chất bán dẫn cùng với chiều
chuyển động của các lỗ trống và ngược với chiều
chuyển động của các điện tử
Chiều dòng điện
(a)
Chiều dòng điện
(b)
5
1. KHÁI NIỆM CHUNG VỀ CHẤT BÁN DẪN,
DIODE
CHẤT BÁN DẪN THUẦN, CHẤT BÁN DẪN LOẠI P VÀ N
n Chất bán dẫn thuần (không có tạp chất): có ít hạt
dẫn, chất cách điện (ở 0K) và dẫn điện kém (ở nhiệt
độ phòng).
n Chất bán dẫn không thuần (thêm tạp chất): chứa
một số lượng mong muốn các lỗ trống, điện tử tự do.
+ Bán dẫn loại P: thêm vào bán dẫn thuần (hóa trị
4)một lượng nhỏ cać tạp chất hóa trị 3 như In, Ga;
lô ̃ trống là hạt dẫn đa số, điện tử la ̀ thiểu số
+ Bán dẫn loại N: thêm vào bán dẫn thuần (hóa trị 4)
một lượng nhỏ cać tạp chất hóa trị 5 như As: điện
tử la ̀ hạt dẫn đa số, lỗ trống là thiểu sô ́
6
1. KHÁI NIỆM CHUNG VỀ CHẤT BÁN DẪN,
DIODE
7
1. KHÁI NIỆM CHUNG VỀ CHẤT BÁN DẪN,
DIODE
n DIODE BÁN DẪN
Tiếp giáp P-N: hình thành khi cho chất bán dẫn P và N
tiếp xúc công nghệ với nhau
Diode: Tiếp giáp P-N nối với mạch điện ngoài được gọi
là diode bán dẫn.
Ký hiệu Diode thực Ky ́ hiệu Diode lý tưởng Cấu trúc vật li ́ của Diode
Tiếp xúc kim loại
8
1. KHÁI NIỆM CHUNG VỀ CHẤT BÁN DẪN,
DIODE
n Đặc điểm
1. Khi đặt điện áp V >0, diode được phân cực thuận,
quan hệ dòng điện và điện áp đặt lên Diode là
2. Khi điện áp V<0, diode được phân cực ngược,
dòng điện nhỏ qua diode gọi là dòng điện ngược
bão hòa (diode lí tưởng coi dòng này bằng 0); khi
tăng điện áp ngược đến một gia ́ tri ̣ diode sẽ bị
đánh thủng
/( -1); 0.025V; =1TS T
V VI I e Vh h= =
Tiếp giáp pn khi phân cực
(a) Cấu trúc vật lý
(b) Ký hiệu diode bán dẫn
9
1. KHÁI NIỆM CHUNG VỀ CHẤT BÁN DẪN,
DIODE
n Đặc tuyến V-A diode
thực
n Đặc tuyến V-A diode lí
tưởng
Phá
hỏng
Đánh
thủng
ngược
Phá hỏng
Dòng
điện lớn
nhất
Phân cực
thuận
Phân cực
ngược
(Điện áp đánh
thủng)
Tắt(OFF) Mở(ON)
10
Đặc tuyến thực
Đặc tuyến xấp xỉ
1. Mô hình 1( diode offset)
Diode thực được xấp xỉ thành diode lí tưởng mắc nối
tiếp với điện áp mở Von : 0.6-0.7 cho diode Si, 0.2-0.3
cho diode Ge
2. Mô hình 2 ( piecewise –linear)
Diode thực được xấp xỉ thành diode lí tưởng mắc nối
tiếp với điện trở Rf va ̀ điện áp mở Von
2. MÔ HÌNH TOÁN HỌC DIODE
Diode li ́
tưởng
11
Độ dốc
Diode li ́
tưởng 1/ fR=
VÍ DỤ:
- Thay Diode thưc ở sơ đồ a bằng diode lí tưởng mắc
nối tiếp điện áp mở(ngưỡng) 0.6V được sơ đồ b
2. MÔ HÌNH TOÁN HỌC DIODE
12
2. MÔ HÌNH TOÁN HỌC DIODE
VÍ DỤ:
n Sử dụng định luật LKA cho hai vòng ta được
n điện áp đặt trên diode là:
® Điều kiện để diode dẫn là
1 0.6+2 và 2D ov v v= + =
1 2.6Dv v= -
10 2.6VDv v> ® >
Diode lí tưởng
13
3. MẠCH ĐIỆN CHỈNH LƯU DÙNG DIODE,
MẠCH LỌC
n Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ:
Diode lí tưởng
Điện trở tải
Diode đóng
mạch
Diode
đóng
mạch
Diode
hở mac̣h
14
n Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ
3. MẠCH ĐIỆN CHỈNH LƯU DÙNG DIODE,
MẠCH LỌC
Máy biến áp
li ́ tưởng
Thứ cấpSơ cấp Diode lí tưởng
Diode lí tưởng
(Nửa chu kỳ âm)(Nửa chu kỳ dương) 15
3. MẠCH ĐIỆN CHỈNH LƯU DÙNG DIODE,
MẠCH LỌC
n Mạch chỉnh lưu cầu:
Chỉnh lưu cả chu kỳ (a) mạch điện,
(b) mạch điện cho nửa chu kỳ dương
và âm, (c) Điện áp đầu ra sau chỉnh
lưu .
16
n Mạch lọc dùng tụ điện
Trở tảiTụ loc̣
Diode li ́
tưởng
3. MẠCH ĐIỆN CHỈNH LƯU DÙNG DIODE,
MẠCH LỌC
17
3. MẠCH ĐIỆN CHỈNH LƯU DÙNG DIODE,
MẠCH LỌC
Hằng sô ́
thời gian
Tụ nạp
Tụ phóng Chỉnh lưu với tụ lọc.
(a) Mạch điện.
(b) dòng điện ra với tụ lọc.
(c) Cấu hình mạch điện khi tụ
nạp và phóng.
18
CHƯƠNG 8: TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
(BJT)
1. Cấu tạo: Ba lớp bán dẫn, ghép thành hai tiếp giáp:
n-p-n hoặc p-n-p; tương ứng có ba vùng: vùng
gốc, phát, góp; ba cực tương ứng ba vùng là: cực
gốc(B), phát (E), góp(C); vùng gốc được chế tạ o
mỏng nhất và vùng phát được làm giầu các hạt
dẫn đa số nhất
2. Ky ́ hiệu transistor (BJT- transistor lưỡng cực)B (gốc)
GópPhát Phát
B (gốc)
Góp
(góp-
Collector)
(gốc-Base)
(phát-
Emitter)
(phát-
Emitter)
(góp-
Collector)
(gốc-Base)
Transistor lưỡng cực. (a) Cấu trúc transistor npn và ký hiệu. (b) Cấu trúc transistor pnp và ký
hiệu
(a) (b)
19
Một số transistor trong thực tế
20
KHÁI NIỆM CHUNG VỀ TRANSISTOR
LƯỠNG CỰC (BJT)
Các cách phân cực cho transistor
21
3. Các chê ́ độ làm việc của BJT npn: có 3 chế độ
§ Tích cực(khuếch đại) (VBE=Von; VCE>Von )
§ Bão hòa (iB>0; VBE=Von; VCE=Vsat≈ 0.2-0.3V) ;
§ Khóa (iB=0; vBE <Von;VCE ≈ VCC)
4. Xác định điểm làm việc tĩnhQ(chi ̉ co ́nguồn một chiều)
IBQ, ICQ, VCEQ
§ Xác định chế độ làm việc của mạch đã cho
§ Nếu chế độ la ̀ th́ch cực: sử dụng các công thức 7.3.1-
7.3.5 sách GT
chu ́ y:́ ICBO va ̀ ICEO là nhỏ (cỡ nA), nên bỏ qua
§ Nếu chế độ la ̀ bão hòa hay khóa thì không được ápdụng các công thức từ 7.3.1-7.3.5.
KHÁI NIỆM CHUNG VỀ TRANSISTOR
LƯỠNG CỰC (BJT)
22
KHÁI NIỆM CHUNG VỀ TRANSISTOR
LƯỠNG CỰC (BJT)
n Quan hệ các đại lượng dòng điện ở chế độ tích cực
n Hệ số khuyếch đại dòng điện gốc chung =0,9-0,98
n Hệ số khuyếch đại dòng điện phát chung =5-900
n Hiện tượng rò dòng điện (bé)
Dòng điện rò ICB0 khi đầu E hở nên:
Dòng điện rò ICE0 khi đầu B hở nên:
; =
1 1+
a bb a
a b
=
-
b
BCE iii +=
0CBEC Iii +=a
EC ii a= BC ii b=
a
0CEBC Iii += b
23
n Ví dụ: Tính toán chế độ làm việc của Transistor β=80
KHÁI NIỆM CHUNG VỀ TRANSISTOR
LƯỠNG CỰC (BJT)
24
n CÁC CÁCH MẮC TRANSISTOR:
Transistor có thể mắc theo 3 kiểu B chung, C
chung, E chung tùy thuộc vào cực nào tham gia cả
cực vào và ra
1. Mắc chung gốc:
KHÁI NIỆM CHUNG VỀ TRANSISTOR
LƯỠNG CỰC (BJT)
25
2. Mắc chung phát:
3. Mắc chung góp:
CÁCH MẮC TRANSISTOR
26
KHÁI NIỆM CHUNG VỀ TRANSISTOR
LƯỠNG CỰC (BJT)
n ĐẶC TUYẾN V-I CỦA TRANSISTOR
27
KHÁI NIỆM CHUNG VỀ TRANSISTOR
LƯỠNG CỰC (BJT)
28
n Hiệu ứng Early:
KHÁI NIỆM CHUNG VỀ TRANSISTOR
LƯỠNG CỰC (BJT)
29
KHÁI NIỆM CHUNG VỀ TRANSISTOR
LƯỠNG CỰC (BJT)
n Sơ đồ tương đương của BJT khi làm việc với tín
hiệu nhỏ
gm :Điện dẫn truyền của transistor
VT điện áp tương đương của nhiệt độ, VT=kT/q=
25.86x10-3V (T=300K)
ro :Tổng trở ra của transistor
CQC
m
BE TQ
Ii
g
v V
d
d
= =
1 CQC
o CE AQ
Ii
r v V
d
d
= =
1
r C CBE BE
B B C B m mQ QQ
i iv v
i i i i g gp
d b
d
DD D
= = @ =
D D D
BE Bv v r ip p= D = D
Mạch điện tương đương tín hiệu nhỏ của BJT
30
CHƯƠNG 8: KHUYẾCH ĐẠI TRANSISTOR
1. PHÂN CỰC TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT)
n Điện áp dọc transistor
n Điện áp trên RC
n Điện áp rơi trên RE
Từ điểm làm việc Q; ICQ,IBQ®
3
8
CC
C
CQ
V
R
I
=
( ) ( )8 18
CC CC
E
CQCQ BQ
V V
R
II I
b
b
= =
++
( )
2
0.7 /8
5
CC
BQ
V
R
I
+
@
( )
1
7 /8 0.7
6 6
CCCC B
BQ BQ
VV V
R
I I
--
@ =
1
2 CCV
1
8 CCV
1
3 CR
3
8 CCV
31
2. KHUYẾCH ĐẠI TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
(BJT)
1. KHUYẾCH ĐẠI KIỂU PHÁT CHUNG (CE)
Phần phát của mạch điện là chung cho mạch vào
và ra (tín hiệu vào hai cực BE, lấy ra ở hai cực CE)
Điện áp xoay
chiều ra
khuếch đại
Điện
trở tải
Tụ rẽ
ĐấtNguồnxoay chiều
Sơ đồ tương đương:
n Ngắn mạch tất cả các nguồn một chiều
n Sử dụng sơ đồ tương đương của transistor tín hiệu nhỏ 32
KHUYẾCH ĐẠI PHÁT CHUNG
0
0
( || )( || )
( || )
m C BL
i
S L C
g r R r Ri
A
i R r R
p-= =
+
Đất
1 2
1 2
1 2
||B
R R
R R R
R R
= =
+
1
S in
S in
v R
v v
R Rp
= =
+
[ ]
[ ]1
0
1 0
||
||
m L CL
v
L C
g R r Rv
A
v R r R
-
= =
+ 33
MẠCH KHUYẾCH ĐẠI GÓP CHUNG
•Tín hiệu vào hai cực BE va ̀ ra CE, tải ra ở cực E
Nguồn tín
hiệu Đất
Điện trở
tải
Điện áp
ra
34
1 2
1 2
1 2
||B
R R
R R R
R R
= =
+
MẠCH KHUYẾCH ĐẠI GÓP CHUNG
|| B iin B i
B i
R R
R R R
R R
= =
+
W (1 )i mR r R g rp p= + +
W 0 || ||E LR r R R=
1
W
1 W
(1 )
(1 )
mL
v
m
R g rv
A
v r R g r
p
p p
+
= =
+ +
[ ]1
W
1 W
(1 )
(1 )
L in in in mL
i v
S L L L m
v R R R R g ri
A A
i v R R R r R g r
p
p p
+
= = = =
+ +
35
MẠCH KHUYẾCH ĐẠI B CHUNG
Đất
Nguồn
xoay
chiều
Điện
áp ra
(a)
Đất
|| C LH C L
C L
R R
R R R
R R
= =
+
0
0
( )
(1 )
H
i
H m
r r R
R
r R r g r
p
p p
+
=
+ + +
0
0 0
( || )( )
||
( || )(1 )
E i E H
in E i
E i H E m
R R r R r R
R R R
R R r R r R g r
p
p
+
= = =
+ + + +
1
0
1 0
(1 )H mL L
v
H
R g rv v
A
v v R rp
+
= = =
- + [ ]1
0
0 0
( || )(1 )
( || )(1 )
in H E m
i v
L L H E m
R R r R g r
A A
R R r R r R g r
p
p
+
= =
+ + +
36
SO SÁNH CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI E, B, C
CHUNG
— Mạch khuếch đại mắc theo kiểu E chung: khuếch đại điện
áp, dòng điện, tín hiệu vào/ra là ngược pha với nhau
— Mạch khuếch đại C chung: hệ số khuếch đại điện áp xấp xỉ
bằng 1; hệ sô ́ khuếch đại dòng điện lớn
— Mạch khuếch đại B chung: không khuếch đại dòng điện,
chỉ khuếch đại điện áp
37
CHƯƠNG 5: KHỐI TƯƠNG TỰ VÀ
KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN
n KHỐI KHUẾCH ĐẠI
n KHỐI KHUẾCH ĐẠI LÝ TƯỞNG
38
1. KHỐI KHUYẾCH ĐẠI
n Một bộ khuếch đại được mô hình hóa như là thiết bị
hai cổng đầu vào và đầu ra.
n Mô hình mạch điện của khối khuếch đại.
n dòng điện đầu vào là tỉ lệ với điện áp đầu vào, do đó các cực đầu vào mô hình hoá bằng một điện
trở , là điện trở đầu vào(input resistance) của bộ
khuếch đại.
n Bộ khuếch đại đầu ra mô tả bằng mô hình nguồn
Thévenin. Điện trở đầu ra(output resistance) và
nguồn điện áp phụ thuộc (dependent voltage
source) , Ao được gọi là hệ sô ́ khuếch đại điện áp
hở mạch.
39
vào ra
(a)
(b)
1. KHỐI KHUYẾCH ĐẠI
40
2. KHỐI KHUYẾCH ĐẠI LÝ TƯỞNG
1. KHÁI NIỆM
n Khuếch đại thuật toán được coi là các khối được
xây dựng sẵn có (building blocks).
n Những khối này được mô tả bằng điện trở đầu
vào, điện trở đầu ra, và hệ số khuếch đại điện
áp hở mạch.
n Hai cực đầu vào không đảo và đầu vào đảo
được gắn nhãn + và –
n Cực chung được biểu thị bằng ký hiệu nối đất
(ground)
n Điện áp ra quan hệ với vi sai giữa hai điện áp vào như sau
n Trong đó là A hệ số khuếch đại điện áp vòng hở
pv nv
( )o p nv A v v= -
41
2. KHỐI KHUYẾCH ĐẠI LÝ TƯỞNG
n Khuếch đại thuật toán lý tưởng được xấp xỉ gần gần đúng theo
hai đặc tính sau.
n Dòng điện vào và là bằng 0,
n Điện áp vi sai bằng 0,
pi
Đất
Khuê ́ch đại thuâ ̣t toa ́n
Khuếch đại thuật toán ly ́
tưởng
ni 0p ni i= =
dv 0dv =
42
2. Ứng dụng của khuếch đại thuật toán
a. Khuếch đại đảo
Hệ số khuếch đại đảo là:
Với :
1 Đầu vào đảo
Khuếch đại đảo2 Đầu vào
không đảo
( )
0 2
1 1 2 0 1
1
1 /i
v R
v R R R A R
= -
+ +é ùë û
¥¾®A 0 2
1i
v R
v R
= -
2. KHỐI KHUYẾCH ĐẠI LÝ TƯỞNG
43
2. Ứng dụng của khuếch đại thuật toán
b. Khuếch đại không đảo
Hệ số khuếch đại không đảo là:
Với : ¥¾®A
Khuếch đại không đảo
( )
2
2 1 1 2 1
1
1
1 /
o o
i o
v v R
v v R R R A R
æ ö
= = +ç ÷ + +é ùè ø ë û
2
1
1o
i
v R
v R
= +
2. KHỐI KHUYẾCH ĐẠI LÝ TƯỞNG
44
2. Ứng dụng của khuếch đại thuật toán
c. Khuếch đại cộng đảo
Khuếch đại cộng đảo
0 1 2
11 2
...
N
f f f in
i i iN f
nN n
R R R v
v v v v R
R R R R=
æ ö
= - + + + = -ç ÷
è ø
å
2. KHỐI KHUYẾCH ĐẠI LÝ TƯỞNG
45
2. Ứng dụng của khuếch đại thuật toán
d. Khuếch đại cộng không đảo
Khuếch đại cộng không đảo
[ ]1 2
1 1
1 || || ....
M M
f im
o om M
m md m
R v
v v R R R
R R= =
æ ö
= = +ç ÷
è ø
å å
2. KHỐI KHUYẾCH ĐẠI LÝ TƯỞNG
46
2. Ứng dụng của khuếch đại thuật toán
e. Bộ tích phân
Bộ tích phân không
đảo
Chuyển đổi trở kháng âm Bộ tích phân đảo –tích phân Miller
0
1 1
( ) ( ) ( )
t t
C inv t i d v dC RC
x x x x
-¥ -¥
= - = -ò ò0
2
( ) ( )
t
inv t v dRC
x x
-¥
= ò
2. KHỐI KHUYẾCH ĐẠI LÝ TƯỞNG
47
2. Ứng dụng của khuếch đại thuật toán
f. Bộ vi phân
Bộ vi phân
0
( )
( ) in
dv t
v t RC
dt
= -
2. KHỐI KHUYẾCH ĐẠI LÝ TƯỞNG
48
n 7.2.1; 7.2.3; 7.2.5; 7.2.7; 7.2.8; 7.2.9;
7.2.13; 7.2.14; 7.2.15; 7.2.27; 7.2.28;
7.2.29;
n 7.3.1; 7.3.3; 7.3.4; 7.3.5; 7.3.6; 7.3.7;
7.3.11; 7.3.12; 7.3.14; 7.3.15; 7.3.16;
49
BÀI TẬP
BÀI TẬP
1. Một diode bán dẫn với và một điện trở
mắc nối tiếp được phân cực thuận bởi một nguồn áp
để cung cấp một dòng điện là . Tìm điện áp
nguồn nếu phương trình của diode được cho là
2. Xét mô hình diode-offset trong mạch điện, diode
được cho có . Tìm dòng điện và
10µASI =
I V-
1kΩ
30mA
40( 1)VSI I e= -
0.7VonV = 1i 2i
50
3. Một transistor có dòng eiện gốc , , và
bỏ qua . Tìm , và . Transistor làm việc ở chế
độ tích cực.
4. Transistor làm việc ở chế hộ tích cực, β =99; VBE
=0,6V; VCC =10V; RF =200kΩ; RC =2,7kΩ. Xác định điểm làm việc của transistor.
BÀI TẬP
25µAbi = 0.985a = CBOI
b
Ei Ci
51
CEOI
BÀI TẬP
5. Sử dụng mạch điện tương đương tín hiệu nhỏ của một BJT
với , ,và , một điện trở tải được nối từ
cực góp tới cực phát, như trên hình. Transistor được phân cực
để có dòng i ện góp một chiều là 6mA.
n Tính ΔvL theo sự thay Rổi nhỏ .
n Tìm sự thay Rổi tương ứng ở dòng i ện gốc.
0.03Smg = 75b = 65VAV =
BEvD
BiD
52
n 8.1.1; 8.1.3; 8.1.4;
n 8.3.3; 8.3.12; 8.3.17;
BÀI TẬP
53
BÀI TẬP
1. Một npn BJT silicon được phân cực bằng phương pháp cho
trên hình, với RE=240Ω; R2=3000Ω; VCC=24V. Điểm làm việctương ứng với VBEQ=0,8V; IBQ=110µA; VCEQ=14V và ICQ=11mA.
Xác định RC và R1
54
BÀI TẬP
2. Xét pp phân cực như hình vẽ, với các dữ liệu như
bài 1. xác định RB; Rc
55
3. Xét mạch khuếch đại với R1=1600Ω; R2=400Ω; Rc=70Ω;
RE=20Ω; RL=150Ω; transistor có β=70; VA=50V; ICQ=80mA;
VCC=15V. Tính hệ số khuếch đại dòng điện và điện áp. Lấy
VT=25,861mV
BÀI TẬP
Điện áp xoay
chiều ra
khuếch đại
Điện
trở tải
Tụ rẽ
ĐấtNguồn xoaychiều
56
BÀI TẬP
n 5.1.1; 5.1.2; 5.1.3
n 5.2.1; 5.2.2; 5.2.3; 5.2.4; 5.2.5; 5.2.6;
5.2.7
57
BÀI TẬP
1. Xác định hệ số khuếch đại điện áp trong
hình vẽ.
58
BÀI TẬP
2. Tìm điện áp ra v0 trong mạch trong hình
59
BÀI TẬP
3. Xác định điện áp ra v0 của hệ thống như
hình vẽ
60
CHƯƠNG 6: ĐIỆN TỬ SỐ
1. KHÁI NIỆM CHUNG VỀ TÍN HIỆU SỐ
2. CÁC KHỐI LOGIC
3. PHƯƠNG PHÁP BIỂU DIỄN HÀM LOGIC VÀ TỐI
THIỂU HÀM LOGIC
61
1. KHÁI NIỆM CHUNG VỀ TÍN HIỆU SỐ
n Tín hiệu tương tự là tín hiệu có giá trị thay đổi liên
tục theo thời gian
Các tín hiệu tương tự
62
Tín hiệu rời rạc
• Tín hiệu rời rạc tín hiệu chỉ xác định trên một tập rời rạc
của thời gian (một tập những thời điểm rời rạc).
• Tín hiệu số là tín hiệu có lượng hữu hạn biên độ rời rạc tại
bất kỳ thời điểm xác định nào.
• Thông qua quá trình lượng tử hóa (quantization), các giá
trị mẫu được làm tròn chính xác tới gần nhất tập các biên
độ rời rạc
1. KHÁI NIỆM CHUNG VỀ TÍN HIỆU SỐ
63
n Tín hiệu số có dạng tín hiệu nhị phân (binary signal).
Hình vẽ mô tả các tín hiệu nhị phân điển hình.
1. KHÁI NIỆM CHUNG VỀ TÍN HIỆU SỐ
Tín hiệu nhị phân điển hình 64
Hệ đếm:
— Hệ thập phân: {0,1,2,3,4,5,6,7,8,9}, cơ số 10.
— Hệ nhị phân: {0,1}; cơ số 2.
— Hệ bát phân: {0,1,2,3,4,5,6,7}; cơ số 8.
— Hệ thập lục phân: {0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,A,B,C,D,E,F};
cơ số 16
HỆ THỐNG SỐ
2 5 4 3 2 1 -1 -2 -3
10
(101101.101) = 1x 2 + 0x 2 +1x 2 +1x 2 + 0x 2 +1x 2 + 0x 2 +1x 2
= 32 + 0 + 8 + 4 + 0 +1+ 0.5 + 0 + 0.125 = (45.625)
2 1 0 2 0
16 10(2 ) 2 16 x16 x16 2x16 10x16 11x16 (683)AB x A B= + + = + + =
65
HỆ THỐNG SỐ
QUY ƯỚC:
n Bit có trọng số cao nhất MSB
n Bit có trọng số thấp nhất LSB
n Dấu thập phân ngăn cách là dấu chấm
66
HỆ THỐNG SỐ
Hệ cơ số 10
(thập phân)
Hệ cơ số 2
(nhị phân)
Hệ cơ số 8
(bát phân)
Hệ cơ số 16
(Hexa)
BCD
00 00000 00 00 0000 0000
01 00001 01 01 0000 0001
02 00010 02 02 0000 0010
03 00011 03 03 0000 0011
04 00100 04 04 0000 0100
05 00101 05 05 0000 0101
06 00110 06 06 0000 0110
07 00111 07 07 0000 0111
08 01000 10 08 0000 1000
09 01001 11 09 0000 1001
10 01010 12 OA 0001 0000
11 01011 13 0001 0001
12 01100 14 OC 0001 0010
13 01101 15 OD 0001 0011
14 01110 16 OE 0001 0100
15 01111 17 OF 0001 0101
16 10000 20 10 0001 0110
17 10001 21 11 0001 0111
18 10010 22 12 0001 1000
19 10011 23 13 0001 1001
67
HỆ THỐNG SỐ
Các bước chuyển đổi hệ thống số thập phân sang nhị phân:
1. Chia lặp đi lặp lại phần nguyên của số thập phân cho 2.
Sử dụng số dư để thiết lập số nhị phân tương đương.
Quá trình tiếp tục đến khi thương bằng 0. Số dư đầu tiên
là bit có trọng số nhỏ nhất (LSB), số dư cuối là bit có
trọng số lớn nhất (MSB).
2. Nhân phần thập phân với 2 lặp đi lặp lại. Lấy giá trị 0
hoặc 1 xuất hiện phía trái dấu chấm thập phân của tích
vào số nhị phân. Tiếp tục đến khi phần thập phân của
tích bằng 0
VD: (10110)2; (101100)2; (11101.101)2
(255)10; (999)10; (129.125)10 68
HỆ THỐNG SỐ
Chuyển đổi hệ thập phân sang bát phân (tương tự như
cách đổi hệ nhị phân)
1. Chia số thập phân cho 8 lấy số dư
2. Phần thập phân nhân với 8 lấy phần nguyên của tích
Chuyển đổi hệ nhị phân sang bát phân: chuyển từng
nhóm 3 bit nhị phân sang một số hệ bát phân
Chuyển đổi hệ bát phân sang nhị phân: thay thế mỗi bit
bằng 3 bit nhị phân tương đương.
VD: (175)10; (247)10; (65.535)10 = ( )8
(3425)8; (3651)8; (.214)8 = ( )10
69
HỆ THỐNG SỐ
Chuyển đổi hệ thập phân sang hệ hexa:
1. Chia số thập phân cho 16 lấy số dư
2. Phần thập phân nhân với 16 lấy phần nguyên của
tích
Chuyển đổi hệ nhị phân sang hệ hexa: chuyển từng
nhóm 4 bit sang một số của hệ hexa
Chuyển đổi hệ hexa sang hệ nhị phân: thay thế mỗi bit
bằng 4 bit nhị phân tương đương.
VD: (97)10; (864)10; (0.00125)10 = ( )16
(6B)16; (1F4)16; (256.72)16 = ( )10 = ( )2
70
HỆ THỐNG SỐ
Hệ BCD:
n Mỗi bit thập phân được mã hoá dưới dạng nhị phân 4
bit.
n Mã BCD sử dụng cho các máy tính số xử lý dữ liệu
dạng gói 4 bit.
VD: (567)10; (1978)10; (2153.436)10 = ( )BCD
(010101100111)BCD; (.011001011001)BCD;
(10010010.00000001)BCD = ( )10
71
n Khối OR
2. CÁC KHỐI LOGIC
72
n Khối AND
2. CÁC KHỐI LOGIC
73
n Khối NOT
2. CÁC KHỐI LOGIC
74
n Khối NAND
2. CÁC KHỐI LOGIC
75
n Khối NOR
2. CÁC KHỐI LOGIC
76
2. CÁC KHỐI LOGIC
n Khối XOR
n Khối XNOR
77
3. BIỂU DIỄN VÀ TỐI THIỂU HÀM LOGIC
n Các phép tính cơ bản của đại số logic
78
3. BIỂU DIỄN VÀ TỐI THIỂU HÀM LOGIC
79
VÍ DỤ
— Ví dụ: Hàm (khóa) vẽ tổ hợp các khối logic
tương ứng và lập bảng chân lý.
( )F A A B
-
= +
80
VÍ DỤ
n Ví dụ: Xác định hàm Logic cho mạng tổ hợp cho trên
hình (a).
81
VÍ DỤ
— Ví dụ: Biểu diễn định luật DeMorgan được cho dưới
đây
.X Y X Y+ = .X Y X Y= +
82
Tối thiểu hàm logic
— Khái niệm về số hạng nhỏ nhất (minterm) và thừa số lớn
nhất (maxterm).
— Tích của n biến của một hàm được gọi là số hạng nhỏ nhất,
với n biến có thể có 2n số hạng nhỏ nhất. Ký hiệu là mi .
— Tổng của n biến của một hàm được gọi là thừa số lớn nhất,
là bù của số hạng nhỏ nhất. Ký hiệu Mi .
— Bảng liệt kê số hạng nhỏ nhất và thừa số lớn nhất 3 biến
83
Tối thiểu hàm logic
— Từ bảng chân lý của hàm số logic bất kỳ, có thể thành lập
được hàm F là tổng của các mi (minterm) hoặc là tích của
các Mi (maxterm).
1 3 6 7( , , )
. . . . . . . .
F A B C m m m m
A B C A B C A B C A B C
= + + +
= + + +
( , , ) (1,3,6,7)iF A B C m=å
0 2 4 5( , , ) . . .
( ).( ).( ).( )
F A B C M M M M
A B C A B C A B C A B C
=
= + + + + + + + +
( , , ) (0,2,4,5)iF A B C