Mạch điện tử - Chương 2: Transistor 2 lớp tiếp giáp - bjt

MẠCH ĐIỆN TỬ Chương 2. Transistor 2 lớp tiếp giáp - BJT 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 1 Nội dung • Giới thiệu • Dòng chảy trong BJT • Phân cực BJT • Giải tích mạch BJT bằng đồ thị • Sơ đồ tương đương thông số H-chế độ tín hiệu nhỏ • Phân tích mạch khuếch đại dùng BJT • Mạch khuếch đại E chung • Mạch khuếch đại B chung • Mạch khuếch đại C chung 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 2 Giới thiệu • 1948: Transistor đầu tiên (Bell Lab) • Các loại transistor (TST): BJT, FET • BJT: Bipolar Junction Transistor: Transistor hai lớp tiếp giáp • Cấu tạo: 2 lớp tiếp xúc p-n ghép đối đầu nhau • Phân loại: pnp & npn • Ký hiệu: 3 cực B, C & E • Hoạt động phân cực: tắt, bão hòa, dẫn khuếch đại & đảo 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3 Hình dạng BJT trong thực tế Dòng chảy trong BJT • Với BJT-npn: • Với BJT-pnp: 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 4 Có các dòng khuếch tán, dòng lỗ trống dòng ngược. Dòng chảy trong BJT • Vùng khuếch đại: • EB: Phân cực thuận • CB: Phân cực nghịch Đặt hệ số khuếch đại dòng CBOEC III  CBE III  CBOEB III  )1(    CBO CB I II         1      1  Lưu ý: cấu hình B chung (CB – common Base Configuration) 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 5 Mối nối Emitter – Base (EB) • Xem mối nối EB như một Diode phân cực thuận hoạt động độc lập (iD = iE; vD = vEB) • DCLL và đặc tuyến EB • Mạch tương đương đơn giản 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 6 e EE EB e E R V v R i  1 vE = VEBQ = V (0.7V: Silicon; 0.2V: Germanium) rd = 0 e EBQEE EQ R VV I   Mối nối Collector – Base (CB) • Từ quan hệ:  mạch tương đương của mối nối CB 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 7 CBOEC III  E E C C B B I E IE IC I C I B I B V EBQ V EBQ Diode lyù töôûng I E I E I CBO Mối nối CB Ví dụ 1: Cho mạch điện như hình vẽ:   1, ICBO  0; VEE = 2V; Re = 1k; VCC = 50V; Rc = 20k; vi = 1sint. Tính iE và vCB. t R VvV i e EBQiEE E sin0.13.1    EcCCCcCCCB iRViRVv  i e c e EBQEE cCCCB v R R R VV RVv    (V) tvCB sin2024 (mA) Hệ số khuếch đại tín hiệu xoay chiều: Av = 20 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 8 R e R c V EE V CC vi E C B 3 2 1 R e R c V EE V CC V EBQ C v i E C B i E i C Khuếch đại dòng trong BJT BC ii        1 BBC iii   feB BB C hi ii i         FEfe hh   Quan hệ giữa iC và iB (bỏ qua ICBO): với Hệ số khuếch đại tín hiệu nhỏ Suy ra: Xem gần đúng: Lưu ý:  của các TST cùng loại có thể thay đổi theo từng TST. 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 9 Khuếch đại dòng trong BJT Ví dụ 2: Cho mạch điện như hình vẽ. Xác định hệ số khuếch đại dòng tín hiệu nhỏ. Cấu hình E chung (CE – Common Emitter configuration) Transistor npn 1 2 3 R b R c v i V BB V CC i B i C B E C 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 10 bBQ b BEQiBB B iI R VvV i    b BEQBB BQ R VV I   b i b R v i  cCQbBQBC iIiIii  )(  b c i i i A  Ngõ vào: Với và  Ngõ ra: Hệ số khuếch đại dòng tín hiệu nhỏ Đặc tuyến VA ngõ ra, cấu hình E chung • Vùng bão hòa: vCE  VCEsat Quan hệ giữa iC và iB là không tuyến tính • Vùng chủ động: VCEsat  vCE  βVCEO Quan hệ tuyến tính: Giới hạn dòng: IC-cutoff  iC  ICmax CBOBC Iii     11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 11 Đặc tuyến VA ngõ ra, cấu hình E chung Ví dụ 3: VCC = 10V, Rb = 10K, Rc = 1K. TST:  = 100, VBE = 0.7V, VCEsat=0.1V. Tìm điều kiện làm việc (IC và VCE) của TST khi: a) VBB = 1.5V b) VBB = 10.7V 3 2 1 V BB V CC R b R c b BEBB B R VV I   cCCCCE RIVV  mA KR VV I c CECC C 9.9 1 1.010      ; a) IB = 0.08mA; IC = IB = 8mA  VCE = 2V: TST hoạt động trong vùng tích cực. b) IB = 1mA; Giả sử IC = IB = 100mA  VCE = -90 !!! TST hoạt động trong vùng bão hòa: VCE = VCEsat = 0.1 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 12 Đặc tuyến VA ngõ ra, cấu hình E chung (cont) • Mạch tương đương 1 1 h fe i b R 0 i c C v ce + _ 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 13 Mạch phân cực • 2 nguồn đơn/1 nguồn đôi • 1 nguồn đơn • Ổn định phân cực • β thay đổi  điện trở • Nguồn phân cực thay đổi  diode Zener • Vγ thay đổi  diode Dùng 2 nguồn đơn: Mối nối B-E: do đó điều kiện Tiếp xúc pnp phân cực thuận, với mặc định V=0.7V Mạch phân cực 0 BB B B BB B B BB E C B B V R I V V V I R V V I I I R                BBV V V Dùng 2 nguồn đơn: Mối nối B-C • Điều kiện để tiếp xúc B-C phân cực ngược • Có thể kiểm tra theo Mạch phân cực CB C B C C CC CC C C BE CB V V V R I V V V R I V V               CEV CE C E CC C C CEsatV V V V R I V     Ví dụ: cho Tìm để mạch phân cực đúng Giải: Mạch phân cực 2 12 BB CC V V V V   10 100 BR k     cR 2 0.7 100. 13 10 12 1 3 BB C B C C CC CEsat CC C C V V I mA R k R I V V V R k I m             Dùng 1 nguồn đôi: • Tại mối nối B-E: • Tại mối nối B-C (phân cực ngược) Ta kiểm tra theo điều kiện VCE Mạch phân cực V EE EE EE 0 0 E E E E V R I V V V I R V V             EE EE ( ) ( ) CE C E CC C C E E CC C C E CEsat V V V V R I R I V V V I R R V            Dùng 1 nguồn đơn: dùng biến đổi Thevenin Mạch phân cực  V Dùng 1 nguồn đơn: Trong đó: Mạch tương tự với trường hợp 2 nguồn 2.2 Mạch phân cực 1. 2 1/ / 2 1 2 B R R R R R R R    2 1 2 BB CC R V V R R   0 BB E C B B V V I I I R        CE C E CC C C CEsatV V V V R I V     Ổn định phân cực: Trường hợp thay đổi: thêm RE Đối với mạch: Mạch hoạt động không ổn định do phụ thuộc chủ yếu vào Mắc thêm điện trở Mạch phân cực BB C B B V V I I R      CI   ER  Ổn định phân cực: Mạch phân cực  Ổn định phân cực: Mong muốn thì Gần đúng: Mạch phân cực CI  10 1 10 B E B E R R R R        Ổn định phân cực: Nguồn phân cực thay đổi: Mắc thêm diode zener Mạch phân cực Ổn định phân cực: thay đổi: mắc thêm diode Diode dùng ổn định mối nối B-E Mạch phân cực V Giải tích mạch BJT bằng đồ thị 1 2 3 RL ReR1 R2 VCC i i R2 R1 VCC VBB Rb 1 1 VCC 1 2 3 RL Rb Re VBB 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 26 Mạng phân cực (Mạch tương đương Thevenin): CCBB V RR R V 21 1   Thiết kế: CCBB b VV R R /1 1   21 21 RR RR Rb   BB CC b V V RR 2 Giải tích mạch BJT bằng đồ thị • Hoạt động của mạch khuếch đại (DC) • Ngõ ra: • Với iC = iE  iE, suy ra: :DCLL • Ngõ vào: • Bỏ qua ICBO: iB = (1-)iE, suy ra: • Để loại bỏ sự thay đổi của iE do  thay đổi, chọn Re >> Rb/(1+). • Điểm tĩnh Q (ICQ, VCEQ): 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 27 eEBEbBBB RivRiV  be BEBB be BEBB E RR vV RR vV i          1 1)1( e BEQBB EQCQ R VV II          e L BBCCCEQ R R VVV 1)7.0( eELCCECC RiRivV  )( eLCCECC RRivV  Giải tích mạch BJT bằng đồ thị • Tín hiệu nhỏ: • Quan hệ pha: ib tăng, ic, ie tăng, vce giảm Điều kiện để iC có thể dao động cực đại (max swing): (Giả sử VCEsat = 0 và IC-cutoff = 0) eL CC CQ RR V I   2/ 2/CCCEQ VV  11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 28   min , min , . CEQ CEsat CMms CQ AC CEMms CEQ CEsat AC CQ V V I I R V V V R I          CQCc Iii  CEQCEce Vvv  Giải tích mạch BJT bằng đồ thị Ví dụ 4: Tìm Q để có max swing R1 R2 Re 200 RL 1k 1  = 100 +9V )2001000(9  CQCEQ IV mA RR V I eL CC CEQ 75.3 2/    DCLL: Max swing: VCEQ = VCC / 2 = 4.5 V 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 29 VBB = VBE + ICQ(1.1Re) = 0.7 + (3.75E-3)(1.1)(200) = 1.525 V Suy ra: Giải tích mạch BJT bằng đồ thị Ví dụ 5: Tìm R1 và R2 trong ví dụ 4 để đạt được Max Swing 1 Rb Re 200 RL 1k VBB  = 100 +9V VBQ = VBE + VEQ = VBE + IEQ  Re  VBE + ICQ  Re Chọn Re >> Rb/(1+), thường chọn: )1( 10 1  eb RR CCBB b VV R R /1 1   BB CC b V V RR 2 VBB = VRb + VBQ = IBQRb + VBQ  (ICQ/)(0.1Re) + VBE + ICQRe = 2.4K = 11.8K 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 30 Tụ Bypass vô hạn Re: + Tạo dòng phân cực ICQ và tăng độ ổn định phân cực. _ Giảm hiệu suất; _ Giảm hệ số khuếch đại đối với tín hiệu nhỏ xoay chiều. Sử dụng tụ bypass Giả sử Ce, đối với tín hiệu xoay chiều: ZC = 1/(jC)  0 VBB Re RL Rb VCC Ce i i i B iC i E eLDC RRR  DC CC CE DC C R V V R I  1 cLce iRv  Lac RR  ce ac c v R i 1  DCLL: ACLL:  (Gốc tọa độ Q) 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 31 Tụ Bypass vô hạn   DC CC acCQ DC CQ R V RI R I  1 acDC CC CQ RR V I   acDC CC CEQ RR V V /1  Max Swing: Q trung điểm ACLL  Thay vào DCLL:  11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 32 acCQCEQ RIV  VBB Re RL Rb VCC Ce i i i B iC i E eLDC RRR  DC CC CE DC C R V V R I  1 cLce iRv  Lac RR  ce ac c v R i 1  DCLL: ACLL:  (Gốc tọa độ Q) Tụ ghép (coupling capacitor) vô hạn acDC CC CQ RR V I   acDC CC CEQ RR V V /1  c cL c L i RR R i  Dòng qua tải (AC): Tụ ghép: Ngăn dòng DC qua tải. DCLL: RDC = Re + Rc ACLL: Rac = Rc // RL Max Swing: Rb Re Rc RL Ce Cc VBB VCC 1 i i i B iC i E i L 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 33 Mạch Emitter Follower Cb R2 R1 Re VCC vi a) Mạch Emitter Follower Rb Re VCC Cb VBB vi b) Mạch tương đương vB = vBE + vE Xem vBE  VBE = 0.7 vi = vb  ve: “Follower” VCC Cb Re Rbvi VBB Ce RL c) Mạch Emitter Follower với tải AC DCLL: RDC = Re ACLL: Rac = Re // RL 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 34 Mở rộng - Mạch phân cực Base – Injection • Xét mạch Emitter Follower với phân cực Base–Injection sau: 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 35 vi R2 Cb Re VCC RL Ce Tính toán mạch phân cực: Ngõ vào: VCC = VR2 + VBEQ + Vre VCC  R2(ICQ/) + VBEQ + ReICQ Ngõ ra: VCEQ = VCC - ReICQ Thiết kế mạch phân cực: Chọn điểm tĩnh Q Tính /2RR VV I e BEQCC CQ    / 2 CQ CQeBEQCC I IRVV R   Mở rộng • Nguồn của mạch khuếch đại • Có thể thay đổi điện áp nguồn cung cấp cho mạch khuếch đại để thay đổi mức DC của ngõ ra (Vẫn bảo đảm TST phân cực đúng). 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 36 Ví dụ 6: Xét mạch CE sau Cb R2 R1 Re +VCC vi Rc -VEE vo DCLL: RDC = Rc + Re DC EECC CE DC C R VV V R I   1 ACLL: Rac = Rc + Re Với tín hiệu ac, các nguồn một chiều (VCC, VEE) ngắn mạch: Phân tích như các phần trước. Ví dụ: Chọn RCICQ = VCC Mức DC ngõ ra: v0-DC = 0 (Không cần dùng tụ coupling ngõ ra) MẠCH ĐIỆN TỬ Phân tích & Thiết kế mạch tín hiệu nhỏ tần số thấp 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 37 Chế độ tín hiệu nhỏ • Mô hình tương đương mạng 2 cửa dạng hybrid • Mô hình tương đương E chung • Mô hình tương đương B chung • Phân tích mạch chế độ tín hiệu nhỏ • Mạch CE • Mạch CB • Mạch CC • Kỹ thuật phản ánh trong BJT: bảo toàn áp • Mô hình tương đương mạch khuếch đại 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 38 Mạng 2 cửa • Mạng 2 cửa : v1, i1, v2, i2 • Các thông số đặc trưng : Trở kháng (impedance), dẫn nạp (addmittance ), hybrid • Các thông số hybrid : • v1 = h11i1 + h12v2 • v2 = h21i1 + h22v2  Các thông số Hybrid • Với TST : • Định nghĩa: • Trở kháng ngõ vào khi ngắn mạch ngõ ra. • Độ lợi áp ngược (reverse voltage gain) khi hở mạch ngõ vào. • Độ lợi dòng thuận (forward current gain) khi ngắn mạch ngõ ra. • Dẫn nạp ngõ ra khi hở mạch ngõ vào. 2 1 0 1 i v v h i  1 1 0 2 r i v h v  2 2 0 1 f v i h i  1 2 0 2 o i i h v  1 1 2 2 1 2 i r f o v h i h v v h i h v     Lưu ý: v1, i1, v2, i2, là các đại lượng tín hiệu nhỏ -Các thông số hybrid h phụ thuộc vào tĩnh điểm Q của TST -Các thông số hybrid h cho các cấu hình khác nhau (CE, CB, CC) được ký hiệu bằng cách thêm vào các chỉ số thích hợp (e, b, c). Ví dụ: hfe là hf cho cấu hình CE, Mạch khuếch đại E chung • Mạng 2 cửa: 4 chân ( 4 cực ). • BJT : 3 chân  1 chân dùng chung cho 2 cửa • Mô hình tương đương E chung 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 41 25 ( ) 0 0 ie d CQ fe re oe mV h r I h h h        11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 42 Xác định các hệ số hybrid cho cấu hình CE: 1.Độ lợi điện áp ngược hre : Thường rất nhỏ, bỏ qua. 1.Dẫn nạp ngõ ra hoe: Hệ số góc của đặc tuyến (iC,vCE) tại Q. Thường hoe  10 - 4 S, và (1/hoe) // RL ( 1  2K)  Bỏ qua hoe. Sử dụng nguyên lý xếp chồng (Superposition): •DC: Chương 2 •AC: Tín hiệu nhỏ: Biến đổi mạch tương đương Mạch khuếch đại E chung Qi i iv i h B C bce c oe      0     FE B C b c fe h Qi i Qi i h CQ T fe E BE fe B BE b be ie I V mh Qi v h Qi v Qi v h        3. Độ lợi dòng thuận hfe : 4. Trở kháng ngõ vào hie : Mạch tương đương của TST: 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 43 Mạch khuếch đại E chung Mạch khuếch đại E chung Ví dụ 1: Cho mạch sau, giả sử hfe = hFE = 50. Xác định: 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 44 a. Tĩnh điểm Q b. Mạch tương đương tín hiệu nhỏ, giả sử bỏ qua hoe và hre c. Độ lợi dòng Ai = iL / ii d. Trở kháng ngõ vào nhìn từ nguồn dòng e. Trở kháng ngõ ra nhìn từ tải 1K VVBB 424 5010 10    5010 5010   bR 2.2 7.4 /        e BEBB be BEBB CQ R VV RR VV I  CQecCCCEQ IRRVV )(  = 8.3K = 1.5mA; = 15V a. Tĩnh điểm Q: 5.1 25 50 25  CQ feie I mV hh i b b L i L i i i i i i i A  Lc c b L RR R i i   )50( ieib ib i b hrR rR i i   )//( )//( iebii hRrZ //// b) Mạch tương đương tín hiệu nhỏ: Bỏ qua hoe và hre c) Độ lợi dòng Ai: = - 39.6; = 0.85  Ai = (0.85)(-39.6) = -34 e) Trở kháng ngõ ra: Zo = RC = 3.8K = 833 d) Trở kháng ngõ vào: = 700 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 45 Mạch khuếch đại E chung Mạch khuếch đại E chung Ví dụ 2: Tìm độ lợi dòng của mạch khuếch đại trong ví dụ 1, giả sử: hre = 10-4 và h0e = 10-4 mho 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 46 b Lcoe coe feL i RRh Rh hi   ]//)/1[( ]//)/1[( Ngõ ra: Sử dụng KVL ngõ vào: vb = 830ib + 10 -4 vce = (830 – 3.67)ib  830ib Nhận xét 1: Ảnh hưởng của hre là không đáng kể Mạch tương đương: = - 36.7 ib  vce = RliL = - 36.7103  ib bbbbbi iiii KK vi 183.1 8300 1 10000 1 830 3.8 1 10 1              Sử dụng KCL ngõ vào:  )183.1/1)(7.36( i b b L i L i i i i i i i A -31 Nhận xét 2: So sánh với ví dụ 1 (Ai = -34), ảnh hưởng của hoe lên Ai là không đáng kể. Suy ra: 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 47 Mạch khuếch đại E chung ie eb febfecbe h v hihiii   )1()1( Các thông số hybrid: veb = hib(-ie) + hrbvcb ic = hfbie + hoevcb Lưu ý: Chiều qui ước của ie, ic. Xác định các thông số hybrid: Dùng mạch tương đương CE 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 48 Mạch khuếch đại B chung EQ T fe ie cbe eb i eb ib I V h h vi v i v h      10 fe oe ecb c ob h h iv i h     10 Trở kháng ngõ vào hib: Độ lợi điện áp ngược hrb : hrb  10 –4 : Thường bỏ qua. Độ lợi dòng thuận hfb : Dẫn nạp ngõ ra hob : Sử dụng mạch tương đương CE có hoe: Từ mạch CE: ic = - ib; ihoe = (hfe +1)ib  vcb = vce + veb = (-ib)(hfe + 1)(1/hoe) + (-ib)(hie)  vcb  (-ib)(hfe + 1)(1/hoe) = (ic)(hfe + 1)(1/hoe)  Theo định nghĩa: 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 49 Mạch khuếch đại B chung 10     fe fe cbe c fb h h vi i h Nhận xét: i) hrb và hob thường rất nhỏ: Bỏ qua ii) Các thông số hybrid CB (hib, hfb, hob) có được bằng cách lấy các thông số CE tương ứng chia cho (1+hfe) 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 50 Mạch khuếch đại B chung 98.0 1    fe fe fb h h h fe ie ib h h h   1 fe oe ob h h h   1           16100 100 5500 500 )98.0( i L i i i A i L i L i L v i i r R v v A  ; = 16; = 210-6; h rb = 0. = 0.83 Zi = 16 Z0 = 500K = 41.5 Mạch khuếch đại B chung Ví dụ 3: a) Xác định các thông số CB của ví dụ 1, cho 1/hoe = 10K. b) TST trên được sử dụng trong cấu hình CB với ri = 100; RL = 5K. Xác định độ lợi dòng Ai ; áp Av , trở kháng vào Zi; ra Zo Từ ví dụ 1: hfe = 50; hie = 0.83K; hoe = 10 –4 mho; hre = 0. Suy ra: Mạch tương đương: 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 51 Thay TST bằng mạch tương đương cấu hình CE: Mạch khuếch đại C chung • Tính chất: • Độ lợi áp Av  1 • Trở kháng ngõ vào lớn, trở kháng ngõ ra nhỏ: Impedance transformer • Phân tích: • Mạch tương đương dùng thông số hybrid cấu hình CC. • Biến đổi tương đương sử dụng thông số hybrid cấu hình CE. 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 52 efeiei RhhZ )1( vaø 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 53 Mạch khuếch đại C chung  efebiebb Rhihiv )1(                     efeiebi efeieb efeie efe i e v RhhRr RhhR Rhh Rh v v A )1(// )1(// )1( )1( Nhìn từ cực B: vb = vbe + ieRe. Do vbe = ibhie và ieRe = (hfe + 1)ibRe  Mạch tương đương (chuẩn ib)   Thay TST bằng mạch tương đương cấu hình CE: Mạch khuếch đại C chung • Nhìn từ cực E: • Biến đổi Thevenin ngõ vào: Thay TST bằng mạch tương đương CE: • KVL: • Do và 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 54  1 ,   fe i ibo h r hZ ebebii vvirv  ,, 1  fe e b h i i eib fe e iebiebe ih h i hihv    1 eeibe fe i i vihi h r v            1 , ,   Mạch tương đương (chuẩn ie) Mạch khuếch đại C chung • Phản ánh trở kháng: • Phản ánh từ Emitter  Base (chuẩn ib) • Dòng / (hfe + 1) (Ví dụ: ie  ie/(hfe + 1)) • Trở kháng  (hfe + 1) (Ví dụ: Re  Re(hfe + 1)) • Áp: Không đổi (Ví du: ve  ve) • Phản ánh từ Base  Emitter (chuẩn ie) • Dòng  (hfe + 1) (Ví dụ: ib  ib(hfe + 1)) • Trở kháng / (hfe + 1) (Ví dụ: r’i  r’i / (hfe + 1)) • Áp: Không đổi 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 55 Mạch khuếch đại C chung Ví dụ 4: Phân tích mạch sau dùng phản ánh trở kháng •Biến đổi mạch tương đương: 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 56  efeiei i Lc c fei Rhhr r RR R hA )1(, ,   Mạch khuếch đại C chung Ví dụ 5: Tính v1 và v2 của mạch đảo pha (phase inverter) sau: Phản ánh trở kháng cực E lên mạch cực B  Mạch tương đương (b) 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 57 )1()//( )1( 1     feeiebi fee ib b i hRhRr hR rR R vv e e R v i 1 e fbefbc R v hihi 1 12 v R R hRiv e c fbcc  Dòng ie :  Ngõ ra cực C: Nếu chọn hfbRc ( Rc) = Re  v2 = - v1 : Đảo pha. 