Nghiên cứu các điều kiện tối ưu để xác định lượng vết In 3+ bằng phương pháp vôn ampe hoà tan hấp phụ, sử dụng điện cực màng thủy ngân trên nền nano cacbon

TÓM TẮT Các điều kiện tối ưu để xác định In3+ bằng phương pháp vôn-ampe hoà tan hấp phụ làm giàu bằng quá trình tạo phức với resorcin, sử dụng điện cực màng thuỷ ngân trên điện cực nền cacbon nano paste được nghiên cứu. Điện cực paste được chế tạo bằng cách trộn giữa dầu tricrezyl photphat và bột cacbon nano theo tỉ lệ khối lượng 4/6, màng thuỷ ngân được tạo đồng thời cùng kim loại phân tích với nồng độ Hg2+ 5ppm ở thế điện phân -1,2V trong thời gian 120s, nền đệm axetat (pH = 4,34), thời gian cân bằng 15s, tốc độ quay cực 2000 vòng/phút, nồng độ resorcin là 8,5x10-4M và pH = 4,34. Các điều kiên tối ưu cho phương pháp Vôn- Ampe hoà tan sóng vuông là: Ustep = 6mV; f = 30Hz; ∆E = 30mV. Phương pháp đã cho độ lệch chuẩn rất tốt (RSD = 0,75% ) với nồng độ In3+ là 1ppb.

pdf8 trang | Chia sẻ: thanhle95 | Lượt xem: 303 | Lượt tải: 0download
Bạn đang xem nội dung tài liệu Nghiên cứu các điều kiện tối ưu để xác định lượng vết In 3+ bằng phương pháp vôn ampe hoà tan hấp phụ, sử dụng điện cực màng thủy ngân trên nền nano cacbon, để tải tài liệu về máy bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
TAÏP CHÍ ÑAÏI HOÏC SAØI GOØN Soá 10 - Thaùng 6/2012 NGHIÊN CỨU CÁC ĐIỀU KIỆN TỐI ƯU ĐỂ XÁC ĐỊNH LƯỢNG VẾT In 3+ BẰNG PHƯƠNG PHÁP VÔN AMPE HOÀ TAN HẤP PHỤ, SỬ DỤNG ĐIỆN CỰC MÀNG THỦY NGÂN TRÊN NỀN NANO CACBON CAO VĂN HOÀNG (*) TRỊNH XUÂN GIẢN(**) TRỊNH ANH ĐỨC(***) TÓM TẮT Các điều kiện tối ưu để xác định In3+ bằng phương pháp vôn-ampe hoà tan hấp phụ làm giàu bằng quá trình tạo phức với resorcin, sử dụng điện cực màng thuỷ ngân trên điện cực nền cacbon nano paste được nghiên cứu. Điện cực paste được chế tạo bằng cách trộn giữa dầu tricrezyl photphat và bột cacbon nano theo tỉ lệ khối lượng 4/6, màng thuỷ ngân được tạo đồng thời cùng kim loại phân tích với nồng độ Hg2+ 5ppm ở thế điện phân -1,2V trong thời gian 120s, nền đệm axetat (pH = 4,34), thời gian cân bằng 15s, tốc độ quay cực 2000 vòng/phút, nồng độ resorcin là 8,5x10-4M và pH = 4,34. Các điều kiên tối ưu cho phương pháp Vôn- Ampe hoà tan sóng vuông là: Ustep = 6mV; f = 30Hz; ∆ E = 30mV. Phương pháp đã cho độ lệch chuẩn rất tốt (RSD = 0,75% ) với nồng độ In3+ là 1ppb. Từ khoá: điều kiện tối ưu, phương pháp, điện cực, màng thuỷ ngân ABSTRACT The optimal conditions for determining In3+ by the cathodic stripping voltammetry preceded by deposition of complex with resorcin using mercury film nano carbon paste electrode have been investigated. The paste electrode was made by mixing tricrezyl phosphate oil and nano carbon powder with a 4:6 (w/w) ratio, mercury film plated in situ with the concentration of 5ppm HgII at deposition potential -1.2V for 120s in acetate buffer (pH = 4.34), equilibration time of 15s, solution striring by rotating the electrode at  = 2000rpm, resorcin concentration of 8.5x10-4M and pH of 4.34. The optimal conditions for square-wave stripping voltammetry were: Ustep = 6mV, ∆ E = 30mV, f = 30Hz. The method expressed as relative standard deviation was very good (RSD = 0.75%) at the concentration of 1ppb In3+. Keywords: optimal condition, electrode, mercury film 1. MỞ ĐẦU (*) (**) (***) Hiện nay, vấn nạn ô nhiễm môi trường đã và đang ảnh hưởng nghiêm trọng đến sức khỏe con người, trong đó ô nhiễm do kim (*)ThS, Trường Đại học Quy Nhơn (**)GS.TSKH, Viện Hoá học, Viện KH & CN Việt Nam (***)TS, Viện Hoá học, Viện KH & CN Việt Nam loại nặng đang là vấn đề rất bức xúc [1]. Do vậy, việc đánh giá, xử lí mức độ ô nhiễm kim loại nặng là rấ t quan trọng. Trong các kim loại nặng, Indi (In) là kim loại ảnh hưởng lớn đến môi trường sinh thái, có khả năng tích luỹ cao nên trở thành chất độc ảnh hưởng lớn đến sức khỏe con NGHIÊN CỨU CÁC ĐIỀU KIỆN TỐI ƯU ĐỂ XÁC ĐỊNH LƯỢNG VẾT In 3+ người, như: làm rối loạn trí óc, co giật, động kinh, hôn mê hay làm viêm thận, thấp khớp [1] Chính vì vậy, việc xác định In trong các mẫu môi trường như: nước, đất, không khí, mẫu thực phẩm là việc rất cần thiết. Trong tự nhiên indi thường tồn tại dạng vết (cỡ < 10-6M) và siêu vết (cỡ < 10- 9 M) nên để định lượng nó cần phát triển và hoàn thiện các phương pháp phân tích có độ nhạy, độ chọn lọc cao và giới hạn phát hiện thấp như: UV-Vis, AAS, ICP-AES... là các phương pháp được dùng phổ biến để xác định lượng vết indi. Tuy nhiên, trước khi tiến hành định lượng, các phương pháp này thường phải qua các giai đoạn chiết, tách hoặc làm giàu, nên có thể gây nhiễm bẩn, mất nhiều thời gian và làm phức tạp quy trình phân tích. Mặt khác, chi phí thiết bị và chi phí phân tích khá cao nên hạn chế khả năng ứng dụng. Để khắc phục những hạn chế trên, hiện nay người ta thường dùng các phương pháp phân tích điện hoá hiện đại mà điển hình là phương pháp von-ampe hoà tan (SV – Stripping Voltammetry) [7,8]. Yếu tố quan trọng quyết định độ nhạy của phương pháp SV là điện cực làm việc (WE - working electrode). Hiện nay, đa số các nghiên cứu về phương pháp SV trên thế giới cũng như ở nước ta đều sử dụng điện cực giọt thuỷ ngân treo (HMDE - Hanging Mercury Drop Electrode) hoặc điện cực giọt thuỷ ngân tĩnh (SMDE - State Mercury Drop Electrode) là những loại điện cực khó sử dụng và khó bảo quản. Do vậy, gần đây đã có nhiều nghiên cứu sử dụng điện cực màng thuỷ ngân, màng bismut, màng vàng hoặc điện cực biến tính trên các nền khác nhau. Từ năm 1990 đến nay các nhà phân tích trên thế giới đã nghiên cứu và chế tạo ra các loại điện cực khác nhau để xác định thành phần, hàm lượng các chất [2,4,5,6,9] Ở Việt Nam, hiện nay chưa có công trình nghiên cứu nào về lĩnh vực điện hoá chế tạo và ứng dụng điện cực màng trên nền cacbon nano để phân tích hàm lượng các kim loại trong các đối tượng môi trường. Xuất phát từ những vấn đề trên, trong bài báo này chúng tôi thông báo kết quả nghiên cứu các điều kiện tối ưu để xác định vết indi bằng phương pháp von-ampe hoà tan hấp phụ dùng điện cực màng thuỷ ngân trên nền cacbon nano (MFE/NC). 2. THỰC NGHIỆM 2.1. Thiết bị, dụng cụ và hoá chất 2.1.1. Thiết bị và dụng cụ Máy điện hoá 797 VA Computrace (Metrohm, Thụy Sỹ): gồm máy đo, bình điện phân và các điện cực gồm: điện cực làm việc MFE/NC (d = 3,0 ± 0,1mm), điện cực so sánh Ag/AgCl/ KCl 3M và điện cực phụ trợ Pt; Máy rung siêu âm, lò nung, máy điều chế N2 siêu sạch (99,999%), cân phân tích điện Precisa (± 0,1 mg), thước kẹp mm. - Micropipet các loại: 0,5 ÷ 10µL; 10 ÷ 100µL; 100 ÷ 1000µL 2.1.2. Hoá chất - Tricrezyl photphat (Mĩ), Cacbon nano (Nhật), resorcin (Merck) CH3COONa (Merck); CH3COOH (Merck); các dung dịch resorcin, Hg2+, In3+, Pb2+, Cd2+, Cu2+, Zn2+, được pha hằng ngày từ dung dịch chuẩn sử dụng cho AAS có nồng độ 1000ppm, HCl đậm đặc và H 2SO4 đậm đặc loại PA (Trung Quốc). - Nước cất dùng để pha chế hoá chất và tráng rửa dụng cụ là nước cất hai lần đã được lọc qua thiết bị lọc nước siêu sạch (Ф = 0,2µm). Nước cất, các hoá chất, mẫu phân tích đều được bảo quản trong chai nhựa PE CAO VĂN HOÀNG – TRỊNH XUÂN GIẢN – TRỊNH ANH ĐỨC hoặc chai thuỷ tinh sạch. 2.3. Chuẩn bị điện cực làm việc (WE) 2.3.1. Chuẩn bị điện cực nền cacbon nano Cân 0,5 g cacbon nano, sau đó đem nung ở 500oC để đuổi oxy hấp thụ trên cacbon nano xốp. Sau khi loại bỏ oxy hấp thụ, bột cacbon nano được trộn đều với dầu tricrezyl photphat trên cối mã não theo tỉ lệ thích hợp giữa cacbon nano và tricrezyl photphat [10]. Hỗn hợp nhão được đem đi rung siêu âm để đánh tơi bề mặt của cacbon nano ta được bột nhão đồng nhất. Sau đó nhồi bột nhão này vào ống teflon dài 52 mm, đường kính trong (3 ± 0,1 mm), phần trên có chố t kim loại có thể kết nối với máy điện hoá như một điện cực làm việc. 2.3.2. Tạo màng thuỷ ngân trên bề mặt điện cực nền cacbon nano (MFE/CN) Màng thuỷ ngân có thể được tạo ra theo kiểu in situ hoặc kiểu ex situ. Tạo màng kiểu ex situ bằng cách điện phân dd Hg2+ có nồng độ thích hợp ở thế và thời gian xác định và cho điện cực MFE/NC quay với tốc độ không đổi. Sau đó tia rửa WE cẩn thận bằng nước cất rồi nhúng WE vào dung dịch nghiên cứu. Kiểu in situ bằng cách điện phân đồng thời dd Hg2+ với dung dịch nghiên cứu. 2.4. Tiến trình khảo sát các điều kiện tối ưu để phân tích indi (III) Theo [1,4] và sau khi khảo sát sơ bộ, chúng tôi cố định các điều kiện ban đầu cho các thí nghiệm tiếp theo nhau như sau: - Đuổi oxi hoà tan 300 s; - Thế làm sạch điện cực (E clean) 0,4; - Thời gian làm sạch điện cực (tclean) 30 s; - Thế điện phân làm giàu -1,2 V; - Thời gian điện phân làm giàu 120; - Tốc độ quay điện cực: 2000 vòng/phút; - Thời gian nghỉ: 10 s; Quét thế: -0,4 ÷ -0,9 mV; - Biên độ xung: 15 mV; Tần số Hz:15; - Bước nhảy thế: 0,006 V. Sau đó tiến hành khảo sát các thông số bằng phương pháp đơn biến và đa biến theo mô hình hoá thực nghiệm. 3. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1. Đặc tính von-ampe hoà tan hấp phụ của In3+ trên điện cực màng thuỷ ngân trên nền cacbon nano (MFE/NC) Theo [1] chúng tôi chọn nền đệm axetat (pH = 4÷5) để xác định In3+ theo phương pháp von-ampe hoà tan hấp phụ catôt xung vi phân (DP-AdSV) Hình 1: Các đường von-ampe hoà tan vòng trong các trường hợp (1), (2), (3) Điều kiện thí nghiệm (ĐKTN): [In3+] = 15 ppb; [Hg2+] = 5 ppm; Edp = -1200 mV; NGHIÊN CỨU CÁC ĐIỀU KIỆN TỐI ƯU ĐỂ XÁC ĐỊNH LƯỢNG VẾT In 3+ [resorcin] = 8,75.10-4 M; tdp = 60 s; ω = 2000 vòng/phút; Đuổi oxi hoà tan bằng N 2 trong 300s; Erange = -0,4mV  -0,9 mV; tốc độ quét thế v = 90m V/s; mode cyclic Voltammetry (CV). (1) Dung dịch nghiên cứu chỉ chứa nền đệm axetat, dung dịch Hg2+, không chứa dung dịch In3+ và resorcin, (2) Dung dịch nghiên cứu chỉ chứa đệm axetat, resorcin và Hg2+, không chứa In3+, (3) Dung dịch nghiên cứu chứa đồng thời đệm axetat, resorcin, In3+ và Hg2+, thu được kết quả ở hình 1a. Các đường Von-Ampe vòng cho thấy: Trong trường hợp (1): trên đường Von- Ampe vòng không xuất hiện dòng đỉnh hoà tan của In. Điều này chứng tỏ trong khoảng thế nghiên cứu, nền đệm axetat không gây ra hiệu ứng điện hoá trên điện cực làm việc và do vậy, sẽ không ảnh hưởng đến tín hiệu hoà tan của In, Trong trường hợp (2): trên đường von-ampe vòng cũng không xuất hiện - đỉnh hoà tan của In (xem hình 1a), điều này chứng minh rằng thuốc thử resocin trên màng thuỷ ngân không có tín hiệu về điện hoá. Trong trường hợp (3) trên đường von-ampe hoà tan xuất hiện đỉnh hoà tan rõ rệt của In (xem hình 1a) ứng với thế đỉnh Ep(In) = -660mV. Để nghiên cứu độ ổn định của điện cực và độ lặp lại của phương pháp, chúng tôi tiến hành ghi đường vôn ampe vòng lặp lại 4 lần với các nồng độ khác nhau (hình 1b). Từ kết quả hình 1b cho thấy phép đo lặp lại khá tốt với RSD = 0,75 và rất tuyến tính cho những nồng độ khác nhau, vì vậy chúng tôi lựa chọn màng thuỷ ngân và chất tạo phức là resorcin cho phép xác định In. 3.2. Khảo sát các yếu tố ảnh hưởng đến tín hiệu hoà tan Ip của In 3.2.1. Ảnh hưởng tỉ lệ khối lượng nano cacbon và tricrezyl photphat (TCP) Để khảo sát sự ảnh hưởng của tỉ lệ khối lượng nano cacbon (m C) và dầu TCP (mTCP) đến IP của In. Chúng tôi tiến hành pha trộn các tỉ lệ khối lượng khác nhau và thu được kết quả như ở bảng 1. Bảng 1: Khảo sát ảnh hưởng của I p theo tỉ lệ mC: mTCP mC: mTCP 3/7 4/6 5/5 6/4 7/3 Hiện tượng Quá ướt Ướt Hơi uớt Hơi khô Khô Ip (In) nA Không đo được 345 405 525 350 RSD - 59,13 14,46 5,52 42,41 ĐKTN:[Ax] = 0,1M; [Hg2+] = 5ppm; [In3+] = 3ppb; Edp = -1200mV; [resorcin] = 8,75.10-4M; tdp=120s; ω = 2000 vòng/phút; Eclean = 0,4V; tclean = 30s; Đuổi oxi hoà tan 300s; Erange = -0,4mV  -0,9mV; Tốc độ quét thế v = 35,5mV/s. 3.2.2. Ảnh hưởng của nồng độ Hg II Để đánh giá khả năng ảnh hưởng của [Hg2+] đến Ip của In, chúng tôi tiến hành thí nghiệm với các nồng độ Hg2+ khác nhau. Qua hình 4 cho thấy khi tăng nồng độ Hg2+, Ip của In tăng nhanh, nhưng khi [Hg2+]>5ppm thì Ip của In tăng không đáng kể. Giá trị [Hg2+] = 5ppm (Ip (In)=566 và RSD=5,5-) là thích hợp cho các thí nghiệm tiếp theo. Hình 2. Ảnh hưởng của nồng độ thuỷ ngân đến Ip của In CAO VĂN HOÀNG – TRỊNH XUÂN GIẢN – TRỊNH ANH ĐỨC ĐKTN: n=5; Như bảng 1. 3.2.3. Ảnh hưởng của oxi hoà tan (DO) Tiến hành ghi đường von-ampe hoà tan trong hai trường hợp đuổi và không đuổi DO ở các nồng độ indi khác nhau được kết quả về độ nhạy lần lượt là (nA/1ppb): 350nA/ppb và 125nA/pb, giới hạn phát hiện (ppb) lần lượt là: 0,1ppb và 0,4ppb, hệ số tương quan R lần lượt là 0,998 và 0,959. Như vậy trong trường hợp đuổi oxy cho kết quả tốt hơn khi không đuổi oxy. Điều này có thể giải thích là do oxy có mặt trong dung dịch phân tích có E1/2 gần với E1/2 của In nên làm ảnh hưởng đến đường hoà tan của In, hơn thế nữa sự có mặt của oxy hoà tan có thể oxy hoá chất tạo phức resocin làm giảm độ nhạy của phép phân tích. 3.2.4. Ảnh hưởng của thế hấp phụ Việc khảo sát được thực hiện với dung dịch 2ppb. Các điều kiện khác: pH = 4,34; thế điện phân -1,2V, thời gian điện phân 120s, thời gian hấp phụ 10s, tốc độ quét 35,5mV/s, Cresorcinol = 8,5.10-4M. Vì thế, hấp phụ là thế lúc bắt đầu quét, do đó thay đổi thế hấp phụ bằng cách mở rộng khoảng quét thế về phía dương. Ta thấy rằng cường độ dòng khử tăng khi thế hấp phụ dịch về phía dương. Điều này chứng tỏ rằng phức của In3+ với Resorcinol là phức mang điện tích âm. Chúng tôi chọn thế Ehp = -0.4V làm thế hấp phụ cho phức In với Resorcinol. Vì thế, dịch chuyển về phía dương hơn thì đồng làm ảnh hưởng đến pic của In và gần với thế hoà tan của Hg. 3.2.5. Phương pháp mô hình hoá- tối ưu hoá thực nghiệm Thiết kế thực nghiệm là một phương pháp thống kê nhằm tìm ra các điều kiện tối ưu và mô hình hoá mặt mục tiêu. Thiết kế thực nghiệm thống kê đánh giá một cách chính xác các yếu tố ảnh hưởng đến hàm mục tiêu c ần nghiên cứu. Trong bài báo này chúng tôi tìm điều kiện tối ưu cho 4 yếu tố ảnh hưởng đến cường độ dòng là: thế điện phân, tốc độ quét, nồng độ resorcinol và pH. Các thông số thực nghiệm khác được cố định: thời gian điện phân 120s, thế hấp phụ -0,4V, thời gian hấp phụ 10s, tốc độ khuấy 2000rpm, nồng độ In3+ 2ppb, khoảng quét thế (-0,4 ÷ - 0,9V). Để loại bỏ ảnh hưởng gây ra sự nhiễm bẩn hệ thống làm cho mô hình tìm được thiếu chính xác, chúng tôi chọn Ip- Iplank làm hàm mục tiêu để nghiên cứu. Số thí nghiệm cần làm là 31.2 = 62 thí nghiệm ở bảng 2 Bảng 2: Số thí nghiệm cần được tiến hành theo mô hình Số yếu tố 2n-q Ngốc N* N0 N Số TN D 4 24 16 8 7 31 31x2 2,000 Các thí nghiệm phải được tiến hành một cách ngẫu nhiên theo các gi á trị mã hoá. Để tránh sai số hệ thống, mỗi thí nghiệm được lặp lại 2 lần, như vậy tổng số thí nghiệm được tiến hành là 31x 2 = 62. NGHIÊN CỨU CÁC ĐIỀU KIỆN TỐI ƯU ĐỂ XÁC ĐỊNH LƯỢNG VẾT In 3+ Bảng 3: Các mức giá trị và khoảng biến thiên của các yếu tố Yếu tố X i Các mức Khoảng biến thiên  Điểm sao (-2) Mức thấp (-1) Mức gốc (0) Mức cao (+1) Điểm sao (+2) A: Thế điện phân (V) -1,3 -1,2 -1,1 -1,0 -0,9 0,1 B: Tốc độ quét(mV/s) 20 25 30 35 40 5 C: CResorcinol(×10-4 Mol/l) 0,5 4,5 8,5 12,5 16,5 4 D: pH 3,4 3,9 4,4 4,9 5,4 0,5 Phương trình mã hoá thu được như sau: Y=-7568,45 – 423,20x + 123,31y +64,72z + 140,62 t – 32,93x2 + 14,4xy – 1,43y2 – 4,21yt – 4,23z2 -155,25t2. Khảo sát mặt mục tiêu ta thu được: Hình 3: Mô hình mặt mục tiêu mô tả ảnh hưởng của hai nhân tố lên hà m mục tiêu khi cố định các nhân tố còn lại ở mức gốc (điểm 0) Bảng 4 : Bảng phân tích phương sai của hệ số hồi quy sau khi đã loại bỏ hệ số không có nghĩa Nguồn phương sai Tổng bình phương Bậc tự do TB bình phương F P Blocks 0,3963 1 0,3963 0,00 0,98 Lack-of-fit 16941,51 38 445,8292 3,167 0,045 Pure error 1689,2802 12 140,7733 Tæng sai sè 417053 61 2 Ip 0 100 0 200 300 Nong do R-2 0 -2 2 Toc do quet Hold Values The dien phan 0 pH 0 Surface Plot of Ip vs NongdoR, Toc do quet 2 Ip 0 0 100 200 300 toc do quet-2 0 -2 2 The dien phan Hold Values Nong do R 0 pH 0 Surface Plot of Ip vs toc do quet, The dienphan 2 Ip 0 0 200 pH 400 -2 0 -2 2 The dien phan Hold Values Toc do quet 0 Nong do R 0 Surface Plot of Ip vs pH, The dienphan 2 0 Ip 100 0 200 300 Nong do R-2 0 -2 2 The dien phan Hold Values Toc do quet 0 pH 0 Surface Plot of Ip vs NongdoR, The dienphan 2 Ip 0 0 200 pH 400 -2 0 -2 2 toc do quet Hold Values The dien phan 0 Nong do R 0 Surface Plot of Ip vs pH, toc do quet 2 Ip 0 0 200 pH 400 -2 0 -2 2Nong do R Hold Values The dien phan 0 Toc do quet 0 Surface Plot of Ip vs pH, NongdoR CAO VĂN HOÀNG – TRỊNH XUÂN GIẢN – TRỊNH ANH ĐỨC Kết quả khảo sát ảnh hưởng của Cd, Pb đến tín hiệu hoà tan của In cho thấy Pb không cản trở phép xác định In khi nồng độ của Pb nhỏ hơn nồng độ của In 200 lần, còn Cd ảnh hưởng rất lớn đến tín hiệu hoà tan của In. Trong thực tế, đối với các mẫu môi trường thường nồng độ Pb không lớn hơn In quá 20 lần và như vậy không lo lắng về ảnh hưởng của Pb, đối với Cd khi nồng độ lớn hơn 50 lần thì gây ảnh hưởng đến Ip của In. Để khắc phục ảnh hưởng của Cd đối với I p của In, chúng tôi cho thêm dung dịch KBr 0,1M vào dung dịch phân tích thì khắc phục được khả năng ảnh hưởng của Cd đối với Ip của In. 3.2.7. Độ lặp lại của phương pháp Độ lặp lại của Ip (In) trên điện cực MFE/NC được xác định thông qua độ lệch chuẩn (RSD) của In. Cố định các điều kiện thí nghiệm đã được khảo sát ở trên. Tiến hành thí nghiệm với [In3+] = 3ppb để đánh giá độ lặp lại của Ip (In) trong cùng một dung dịch nghiên cứu, thu được kết quả ở hình 4 Kết quả thu được cho thấy: trong cùng một thí nghiệm, phép xác định In bằng phương DP- AdSV dùng điện cực MFE/NC đạt độ lặp lại rất tốt với RSD = 0,4 % khi n = 9. Hình 4. Các đường vôn-ampe hoà tan hấp phụ catôt của In ghi được khi đo lặp lại 9 lần: pH = 4,34; thế điện phân - 1,2V, thời gian điện phân 120s, thời gian hấp phụ 10s, tốc độ quét 35,5mV/s, Cresorcinol = 8,5.10-4M 4. KẾT LUẬN Đã xác định được các điều kiện tối ưu để xác định inđi bằng phương pháp von-ampe hoà tan hấp phụ sử dụng điện cực MFE/NC. Điện cực MFE/NC cho độ lặp lại rất tốt và độ nhạy khá cao (khoảng 500nA/1ppb In) từ đó có thể cho rằng với điện cực này có thể xác định In với hàm lượng siêu vết. Để kết luận chính xác hơn cần nghiên cứu tiếp khoảng tuyến tính, giới hạn phát hiện, giới hạn định lượng và kiểm soát phương pháp để từ đó xây dựng một quy trình hoàn chỉnh. TÀI LIỆU THAM KHẢO 1. Lê Huy Bá (2006), Độc học môi trường , Nxb ĐHQG TP. Hồ Chí Minh. 2. Carvalho L.M., Nascimento P.C., Koschinsky A., Bau M., Stefanello R.F., Spengler C., Bohrer D., Jost C (2007), Simultaneous determination of cadmium, lead, indium, copper, and thallium in highly saline sample by anodic stripping voltammetry (ASV) using mercury-flim and bismuth-flim electrodes”, Electroanalysis 19 (16), pp. 1719-1726. 3. Stanislav Kotrlí, Miloslav Pravda, Jitka Šrámková (1996), Determination of indium in bismuth indium telluride materials by anodic stripping voltammetry, Volume 8, Issue 8-9, pages 773–777. 4. Zhang, Jialing; Shan, Yujuan; Ma, Jing; Xie, Li; Du, Xiaoyan (2009), Simultaneous Determination of Indium and Thallium Ions by Anodic Stripping Voltammetry Using Antimony Film Electrode, Volume 7, Number 4, pp. 605-608(4). 5. Ivan Svancara, Marie Hvizdalova, Kurt Kalcher, and Radomir Novotnl (2007), A Microscopic Study on Carbon Paste Electrodes, Electroanalysis, pp 61-65. 6. Ivan Hotovy, Marian Voj (2008)s, Bismuth film electrodes forheavy metals determination, Technical paper 14, pp. 491-498. 7. Wang J. (2000), Analytical electrochemistry, VCH Publishers Inc, USA. 8. Wang J., Deo R.P., Thongngamdee S., and Ogorevc B (2006), Effect of surface-active compounds on the stripping voltammetric response of bismuth film electrodes, Electroanalysis 13 (14), pp. 1153-1156,). 9. A.Benvidia; M. Mazloum Ardakania (2009), Subnanomolar Determination of Indium by Adsorptive Stripping Differential Pulse Voltammetry Using Factorial Design for Optimization, Analytical Letters, Volume 42, Issue 15 , pages 2430 – 2443. * Nhận bài ngày 2/6/2011. Sữa chữa xong 23/5/2012. Duyệt đăng 5/6/2012.